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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloJANTX2N6766
Microsemi Corporation
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

JANTX2N6766 - Microsemi Corporation

fabbricante Modello di prodotti
JANTX2N6766
fabbricante
Microsemi
Allelco Modello di prodotti
32D-JANTX2N6766
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 200V 30A TO3
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-204AE
Scheda dati
JANTX2N6766.pdf
In magazzino: 4300

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche JANTX2N6766
Specifiche tecniche Microsemi Corporation - JANTX2N6766, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Microsemi Corporation - JANTX2N6766

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Microsemi  
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore TO-3  
Serie Military, MIL-PRF-19500/543  
Rds On (max) a Id, Vgs 90mOhm @ 30A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 4W (Ta), 150W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-204AE  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
Pacchetto Bulk  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Through Hole  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 115 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 200 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 30A (Tc)  

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Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Microsemi Corporation JANTX2N6766

Proprietà del prodotto JANTX2N6766 JANTX2N6788 JANTX2N6800 JANTX2N6796
Modello di prodotti JANTX2N6766 JANTX2N6788 JANTX2N6800 JANTX2N6796
fabbricante Microsemi Corporation Microsemi Corporation Microsemi Corporation Microsemi Corporation
Tensione drain-source (Vdss) 200 V 100 V 400 V 100 V
Tipo montaggio Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Caratteristica FET - - - -
Contenitore dispositivo fornitore TO-3 TO-39 TO-205AF (TO-39) TO-205AF (TO-39)
Pacchetto Bulk Bulk Bulk Bulk
Serie Military, MIL-PRF-19500/543 Military, MIL-PRF-19500/555 Military, MIL-PRF-19500/557 Military, MIL-PRF-19500/557
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 115 nC @ 10 V 18 nC @ 10 V 34.75 nC @ 10 V 28.51 nC @ 10 V
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Rds On (max) a Id, Vgs 90mOhm @ 30A, 10V 350mOhm @ 6A, 10V 1.1Ohm @ 3A, 10V 195mOhm @ 8A, 10V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Dissipazione di potenza (max) 4W (Ta), 150W (Tc) 800mW (Tc) 800mW (Ta), 25W (Tc) 800mW (Ta), 25W (Tc)
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Contenitore / involucro TO-204AE TO-205AF Metal Can TO-205AD, TO-39-3 Metal Can TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 30A (Tc) 6A (Tc) 3A (Tc) 8A (Tc)
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)

JANTX2N6766 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica JANTX2N6766 PDF e la documentazione Microsemi Corporation per JANTX2N6766 - Microsemi Corporation.

Informazioni ambientali
Microchip CA Prop65.pdf Microchip REACH.pdf Microchip RoHS.pdf
PCN Obsolescence/ EOL
Last Time Buy Revision 08/Jul/2015.pdf Multiple Devices 12/Jun/2015.pdf

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Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
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Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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