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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistori-IGBTs-moduliAPTGT35A120D1G
Microsemi Corporation
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

APTGT35A120D1G - Microsemi Corporation

fabbricante Modello di prodotti
APTGT35A120D1G
fabbricante
Microsemi
Allelco Modello di prodotti
32D-APTGT35A120D1G
Modello ECAD
Descrizione delle parti
IGBT MODULE 1200V 55A 205W D1
Descrizione dettagliata
Pacchetto
D1
Scheda dati
APTGT35A120D1G.pdf
Stato RoHS
A norma RoHS
In magazzino: 3930

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Specifiche

Specifiche tecnologiche APTGT35A120D1G
Specifiche tecniche Microsemi Corporation - APTGT35A120D1G, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Microsemi Corporation - APTGT35A120D1G

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Microsemi  
Tensione - rottura collettore-emettitore (max) 1200 V  
Vce (on) (max) a VGE, Ic 2.1V @ 15V, 35A  
Contenitore dispositivo fornitore D1  
Serie -  
Potenza - Max 205 W  
Contenitore / involucro D1  
Pacchetto Bulk  
temperatura di esercizio -  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
Termistore NTC No  
Tipo montaggio Chassis Mount  
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce 2.5 nF @ 25 V  
Ingresso Standard  
Tipo IGBT Trench Field Stop  
Corrente - Cutoff collettore (max) 5 mA  
Corrente - collettore (Ic) (max) 55 A  
Configurazione Half Bridge  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Microsemi Corporation APTGT35A120D1G

Proprietà del prodotto APTGT35A120D1G APTGT400U120D4G APTGT300SK170D3G APTGT30DA170D1G
Modello di prodotti APTGT35A120D1G APTGT400U120D4G APTGT300SK170D3G APTGT30DA170D1G
fabbricante Microsemi Corporation Microchip Technology Microsemi Corporation Microsemi Corporation
Corrente - collettore (Ic) (max) 55 A 600 A 530 A 45 A
Tensione - rottura collettore-emettitore (max) 1200 V 1200 V 1700 V 1700 V
Termistore NTC No No No No
Pacchetto Bulk Bulk Bulk Bulk
Ingresso Standard Standard Standard Standard
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce 2.5 nF @ 25 V 28 nF @ 25 V 26 nF @ 25 V 2.5 nF @ 25 V
Serie - - - -
Contenitore / involucro D1 D4 D-3 Module D1
Tipo IGBT Trench Field Stop Trench Field Stop Trench Field Stop Trench Field Stop
Vce (on) (max) a VGE, Ic 2.1V @ 15V, 35A 2.1V @ 15V, 400A 2.4V @ 15V, 300A 2.4V @ 15V, 30A
Tipo montaggio Chassis Mount Chassis Mount Chassis Mount Chassis Mount
Corrente - Cutoff collettore (max) 5 mA 8 mA 8 mA 3 mA
Contenitore dispositivo fornitore D1 D4 D3 D1
Configurazione Half Bridge Single Single Single
Potenza - Max 205 W 2250 W 1470 W 210 W
temperatura di esercizio - -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ)

APTGT35A120D1G Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica APTGT35A120D1G PDF e la documentazione Microsemi Corporation per APTGT35A120D1G - Microsemi Corporation.

Informazioni ambientali
Microchip CA Prop65.pdf Microchip REACH.pdf Microchip RoHS.pdf

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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