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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistori-IGBTs-moduliAPTGT30DA170D1G
Microsemi Corporation
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

APTGT30DA170D1G - Microsemi Corporation

fabbricante Modello di prodotti
APTGT30DA170D1G
fabbricante
Microsemi
Allelco Modello di prodotti
32D-APTGT30DA170D1G
Modello ECAD
Descrizione delle parti
IGBT MODULE 1700V 45A 210W D1
Descrizione dettagliata
Pacchetto
D1
Scheda dati
APTGT30DA170D1.pdf
Stato RoHS
A norma RoHS
In magazzino: 4930

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche APTGT30DA170D1G
Specifiche tecniche Microsemi Corporation - APTGT30DA170D1G, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Microsemi Corporation - APTGT30DA170D1G

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Microsemi  
Tensione - rottura collettore-emettitore (max) 1700 V  
Vce (on) (max) a VGE, Ic 2.4V @ 15V, 30A  
Contenitore dispositivo fornitore D1  
Serie -  
Potenza - Max 210 W  
Contenitore / involucro D1  
Pacchetto Bulk  
temperatura di esercizio -40°C ~ 150°C (TJ)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
Termistore NTC No  
Tipo montaggio Chassis Mount  
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce 2.5 nF @ 25 V  
Ingresso Standard  
Tipo IGBT Trench Field Stop  
Corrente - Cutoff collettore (max) 3 mA  
Corrente - collettore (Ic) (max) 45 A  
Configurazione Single  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Microsemi Corporation APTGT30DA170D1G

Proprietà del prodotto APTGT30DA170D1G APTGT300TL60G APTGT400U170D4G APTGT30SK170D1G
Modello di prodotti APTGT30DA170D1G APTGT300TL60G APTGT400U170D4G APTGT30SK170D1G
fabbricante Microsemi Corporation Microchip Technology Microchip Technology Microsemi Corporation
Termistore NTC No No No No
Tipo IGBT Trench Field Stop Trench Field Stop Trench Field Stop Trench Field Stop
Contenitore / involucro D1 SP6 D4 D1
temperatura di esercizio -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 175°C (TJ) - -40°C ~ 150°C (TJ)
Potenza - Max 210 W 935 W 2080 W 210 W
Corrente - Cutoff collettore (max) 3 mA 350 µA 1 mA 3 mA
Pacchetto Bulk Bulk Bulk Bulk
Tensione - rottura collettore-emettitore (max) 1700 V 600 V 1700 V 1700 V
Contenitore dispositivo fornitore D1 SP6 D4 D1
Serie - - - -
Corrente - collettore (Ic) (max) 45 A 400 A 800 A 45 A
Ingresso Standard Standard Standard Standard
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce 2.5 nF @ 25 V 18.4 nF @ 25 V 33 nF @ 25 V 2.5 nF @ 25 V
Configurazione Single Three Level Inverter Single Single
Vce (on) (max) a VGE, Ic 2.4V @ 15V, 30A 1.9V @ 15V, 300A 2.4V @ 15V, 400A 2.4V @ 15V, 30A
Tipo montaggio Chassis Mount Chassis Mount Chassis Mount Chassis Mount

APTGT30DA170D1G Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica APTGT30DA170D1G PDF e la documentazione Microsemi Corporation per APTGT30DA170D1G - Microsemi Corporation.

Informazioni ambientali
Microchip CA Prop65.pdf Microchip REACH.pdf Microchip RoHS.pdf
Schede tecniche
APTGT30DA170D1.pdf

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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