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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistori-IGBTs-moduliAPTGT100DA120D1G
Microsemi Corporation
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

APTGT100DA120D1G - Microsemi Corporation

fabbricante Modello di prodotti
APTGT100DA120D1G
fabbricante
Microsemi
Allelco Modello di prodotti
32D-APTGT100DA120D1G
Modello ECAD
Descrizione delle parti
IGBT MODULE 1200V 150A 520W D1
Descrizione dettagliata
Pacchetto
D1
Scheda dati
Power Products Catalog.pdf
APTGT100DA120D1G.pdf
In magazzino: 3910

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Specifiche

Specifiche tecnologiche APTGT100DA120D1G
Specifiche tecniche Microsemi Corporation - APTGT100DA120D1G, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Microsemi Corporation - APTGT100DA120D1G

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Microsemi  
Tensione - rottura collettore-emettitore (max) 1200 V  
Vce (on) (max) a VGE, Ic 2.1V @ 15V, 100A  
Contenitore dispositivo fornitore D1  
Serie -  
Potenza - Max 520 W  
Contenitore / involucro D1  
Pacchetto Bulk  
temperatura di esercizio -40°C ~ 150°C (TJ)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
Termistore NTC No  
Tipo montaggio Chassis Mount  
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce 7 nF @ 25 V  
Ingresso Standard  
Tipo IGBT Trench Field Stop  
Corrente - Cutoff collettore (max) 3 mA  
Corrente - collettore (Ic) (max) 150 A  
Configurazione Single  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Microsemi Corporation APTGT100DA120D1G

Proprietà del prodotto APTGT100DA120D1G APTGT100A120D1G APTGT150A170D1G APTGT150TDU60PG
Modello di prodotti APTGT100DA120D1G APTGT100A120D1G APTGT150A170D1G APTGT150TDU60PG
fabbricante Microsemi Corporation Microsemi Corporation Microsemi Corporation Microchip Technology
Serie - - - -
Potenza - Max 520 W 520 W 780 W 480 W
Corrente - collettore (Ic) (max) 150 A 150 A 280 A 225 A
Tensione - rottura collettore-emettitore (max) 1200 V 1200 V 1700 V 600 V
Contenitore dispositivo fornitore D1 D1 D1 SP6-P
Contenitore / involucro D1 D1 D1 SP6
Termistore NTC No No No No
Tipo IGBT Trench Field Stop Trench Field Stop Trench Field Stop Trench Field Stop
Vce (on) (max) a VGE, Ic 2.1V @ 15V, 100A 2.1V @ 15V, 100A 2.4V @ 15V, 150A 1.9V @ 15V, 150A
Tipo montaggio Chassis Mount Chassis Mount Chassis Mount Chassis Mount
Corrente - Cutoff collettore (max) 3 mA 3 mA 4 mA 250 µA
Configurazione Single Half Bridge Half Bridge Triple, Dual - Common Source
temperatura di esercizio -40°C ~ 150°C (TJ) - - -40°C ~ 175°C (TJ)
Pacchetto Bulk Bulk Bulk Bulk
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce 7 nF @ 25 V 7 nF @ 25 V 13 nF @ 25 V 9.2 nF @ 25 V
Ingresso Standard Standard Standard Standard

APTGT100DA120D1G Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica APTGT100DA120D1G PDF e la documentazione Microsemi Corporation per APTGT100DA120D1G - Microsemi Corporation.

Informazioni ambientali
Microchip CA Prop65.pdf Microchip REACH.pdf Microchip RoHS.pdf
Foglio dati HTML
Power Products Catalog.pdf
Schede tecniche
APTGT100DA120D1G.pdf

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Nota:
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