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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistori-IGBTs-moduliAPTGT100A120D1G
Microsemi Corporation
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.
OPZIONE ESPRIT
Metodo di pagamento

APTGT100A120D1G - Microsemi Corporation

fabbricante Modello di prodotti
APTGT100A120D1G
fabbricante
Microsemi
Allelco Modello di prodotti
32D-APTGT100A120D1G
Modello ECAD
Descrizione delle parti
IGBT MODULE 1200V 150A 520W D1
Pacchetto
D1
Scheda dati
Power Products Catalog.pdf
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In magazzino: 3890

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Specifiche

Specifiche tecnologiche APTGT100A120D1G
Specifiche tecniche Microsemi Corporation - APTGT100A120D1G, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Microsemi Corporation - APTGT100A120D1G

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Microsemi  
Tensione - rottura collettore-emettitore (max) 1200 V  
Vce (on) (max) a VGE, Ic 2.1V @ 15V, 100A  
Contenitore dispositivo fornitore D1  
Serie -  
Potenza - Max 520 W  
Contenitore / involucro D1  
Pacchetto Bulk  
temperatura di esercizio -  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
Termistore NTC No  
Tipo montaggio Chassis Mount  
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce 7 nF @ 25 V  
Ingresso Standard  
Tipo IGBT Trench Field Stop  
Corrente - Cutoff collettore (max) 3 mA  
Corrente - collettore (Ic) (max) 150 A  
Configurazione Half Bridge  

Classificazioni ambientali e di esportazione

ATTRIBUTO DESCRIZIONE
Stato RoHS
Livello di sensibilità all'umidità (MSL) 1 (Unlimited)
Raggiungere lo stato REACH Unaffected
ECCN EAR99
HTSUS

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Microsemi Corporation APTGT100A120D1G

Proprietà del prodotto APTGT100A120D1G APTGT100SK170D1G APTGT150DU120TG APTGT100DA120D1G
Modello di prodotti APTGT100A120D1G APTGT100SK170D1G APTGT150DU120TG APTGT100DA120D1G
fabbricante Microsemi Corporation Microsemi Corporation Microchip Technology Microsemi Corporation
Vce (on) (max) a VGE, Ic 2.1V @ 15V, 100A 2.4V @ 15V, 100A 2.1V @ 15V, 150A 2.1V @ 15V, 100A
Pacchetto Bulk Bulk Bulk Bulk
Corrente - Cutoff collettore (max) 3 mA 3 mA 250 µA 3 mA
Potenza - Max 520 W 695 W 690 W 520 W
Contenitore / involucro D1 D1 SP4 D1
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce 7 nF @ 25 V 8.5 nF @ 25 V 10.7 nF @ 25 V 7 nF @ 25 V
Termistore NTC No No Yes No
Tipo IGBT Trench Field Stop Trench Field Stop Trench Field Stop Trench Field Stop
Tipo montaggio Chassis Mount Chassis Mount Chassis Mount Chassis Mount
Tensione - rottura collettore-emettitore (max) 1200 V 1700 V 1200 V 1200 V
temperatura di esercizio - -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ)
Configurazione Half Bridge Single Dual, Common Source Single
Contenitore dispositivo fornitore D1 D1 SP4 D1
Corrente - collettore (Ic) (max) 150 A 200 A 220 A 150 A
Ingresso Standard Standard Standard Standard
Serie - - - -

APTGT100A120D1G Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica APTGT100A120D1G PDF e la documentazione Microsemi Corporation per APTGT100A120D1G - Microsemi Corporation.

Informazioni ambientali
Microchip CA Prop65.pdf Microchip REACH.pdf Microchip RoHS.pdf
Foglio dati HTML
Power Products Catalog.pdf
PCN Obsolescence/ EOL
D1 Package Devices 12/Jun/2015.pdf

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Nota:
La tabella sopra è solo a riferimento.Potrebbe esserci un po 'di distorsione dei dati per i fattori incontrollabili.
Contattaci se hai domande.

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