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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloAPT55M65JFLL
APT55M65JFLL Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

APT55M65JFLL - Microsemi Corporation

fabbricante Modello di prodotti
APT55M65JFLL
fabbricante
Microsemi
Allelco Modello di prodotti
32D-APT55M65JFLL
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 550V 63A ISOTOP
Descrizione dettagliata
Pacchetto
SOT-227-4, miniBLOC
Scheda dati
APT55M65JFLL.pdf
In magazzino: 5480

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche APT55M65JFLL
Specifiche tecniche Microsemi Corporation - APT55M65JFLL, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Microsemi Corporation - APT55M65JFLL

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Microsemi  
Vgs (th) (max) a Id 5V @ 5mA  
Vgs (Max) ±30V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore ISOTOP®  
Serie POWER MOS 7®  
Rds On (max) a Id, Vgs 65mOhm @ 31.5A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 595W (Tc)  
Contenitore / involucro SOT-227-4, miniBLOC  
Pacchetto Tube  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Chassis Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 9165 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 205 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 550 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 63A (Tc)  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Microsemi Corporation APT55M65JFLL

Proprietà del prodotto APT55M65JFLL APT5518BFLLG APT58M50JCU2 APT56F50L
Modello di prodotti APT55M65JFLL APT5518BFLLG APT58M50JCU2 APT56F50L
fabbricante Microsemi Corporation Microsemi Corporation Microchip Technology Microchip Technology
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore ISOTOP® TO-247-3 SOT-227 TO-264 [L]
Caratteristica FET - - - -
Serie POWER MOS 7® POWER MOS 7® POWER MOS 8™ POWER MOS 8™
Contenitore / involucro SOT-227-4, miniBLOC TO-247-3 SOT-227-4, miniBLOC TO-264-3, TO-264AA
Tipo montaggio Chassis Mount Through Hole Chassis Mount Through Hole
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 205 nC @ 10 V 67 nC @ 10 V 340 nC @ 10 V 220 nC @ 10 V
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 63A (Tc) 31A (Tc) 58A (Tc) 56A (Tc)
Vgs (Max) ±30V ±30V ±30V ±30V
Tensione drain-source (Vdss) 550 V 550 V 500 V 500 V
Dissipazione di potenza (max) 595W (Tc) 403W (Tc) 543W (Tc) 780W (Tc)
Rds On (max) a Id, Vgs 65mOhm @ 31.5A, 10V 180mOhm @ 15.5A, 10V 65mOhm @ 42A, 10V 100mOhm @ 28A, 10V
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Pacchetto Tube Tube Bulk Tube
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 9165 pF @ 25 V 3286 pF @ 25 V 10800 pF @ 25 V 8800 pF @ 25 V
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Vgs (th) (max) a Id 5V @ 5mA 5V @ 1mA 5V @ 2.5mA 5V @ 2.5mA

APT55M65JFLL Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica APT55M65JFLL PDF e la documentazione Microsemi Corporation per APT55M65JFLL - Microsemi Corporation.

Informazioni ambientali
Microchip CA Prop65.pdf Microchip REACH.pdf Microchip RoHS.pdf
Schede tecniche
APT55M65JFLL.pdf

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Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
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Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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