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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloAPT58M50J
APT58M50J Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

APT58M50J - Microchip Technology

fabbricante Modello di prodotti
APT58M50J
fabbricante
Microchip Technology
Allelco Modello di prodotti
32D-APT58M50J
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 500V 58A ISOTOP
Descrizione dettagliata
Pacchetto
SOT-227-4, miniBLOC
Scheda dati
Power Products Catalog.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 1440

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche APT58M50J
Specifiche tecniche Microchip Technology - APT58M50J, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Microchip Technology - APT58M50J

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Microchip Technology  
Vgs (th) (max) a Id 5V @ 2.5mA  
Vgs (Max) ±30V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore ISOTOP®  
Serie POWER MOS 8™  
Rds On (max) a Id, Vgs 65mOhm @ 42A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 540W (Tc)  
Contenitore / involucro SOT-227-4, miniBLOC  
Pacchetto Tube  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Chassis Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 13500 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 340 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 500 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 58A (Tc)  
Numero di prodotto di base APT58M50  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Microchip Technology APT58M50J

Proprietà del prodotto APT58M50J APT58F50J APT56M60B2 APT56F60B2
Modello di prodotti APT58M50J APT58F50J APT56M60B2 APT56F60B2
fabbricante Microchip Technology Microchip Technology Microchip Technology Microchip Technology
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 58A (Tc) 58A (Tc) 60A (Tc) 60A (Tc)
Dissipazione di potenza (max) 540W (Tc) 540W (Tc) 1040W (Tc) 1040W (Tc)
Caratteristica FET - - - -
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Tipo montaggio Chassis Mount Chassis Mount Through Hole Through Hole
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 340 nC @ 10 V 340 nC @ 10 V 280 nC @ 10 V 280 nC @ 10 V
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Contenitore dispositivo fornitore ISOTOP® ISOTOP® TO-247 [B] T-MAX™ [B2]
Contenitore / involucro SOT-227-4, miniBLOC SOT-227-4, miniBLOC TO-247-3 Variant TO-247-3 Variant
Vgs (th) (max) a Id 5V @ 2.5mA 5V @ 2.5mA 5V @ 2.5mA 5V @ 2.5mA
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Serie POWER MOS 8™ POWER MOS 8™ POWER MOS 8™ POWER MOS 8™
Vgs (Max) ±30V ±30V ±30V ±30V
Numero di prodotto di base APT58M50 APT58F50 APT56M60 APT56F60
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 13500 pF @ 25 V 13500 pF @ 25 V 11300 pF @ 25 V 11300 pF @ 25 V
Pacchetto Tube Tube Tube Tube
Tensione drain-source (Vdss) 500 V 500 V 600 V 600 V
Rds On (max) a Id, Vgs 65mOhm @ 42A, 10V 65mOhm @ 42A, 10V 130mOhm @ 28A, 10V 110mOhm @ 28A, 10V

APT58M50J Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica APT58M50J PDF e la documentazione Microchip Technology per APT58M50J - Microchip Technology.

Informazioni ambientali
Microchip CA Prop65.pdf Microchip REACH.pdf Microchip RoHS.pdf
PCN Altro
Integration 13/May/2020.pdf
Foglio dati HTML
Power Products Catalog.pdf
Assemblaggio/origine PCN
Fab Site 27/Jul/2022.pdf

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Europa Germania 5
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Italia 5
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Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
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Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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