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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloAPT40M75JN
APT40M75JN Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

APT40M75JN - Microsemi Corporation

fabbricante Modello di prodotti
APT40M75JN
fabbricante
Microsemi
Allelco Modello di prodotti
32D-APT40M75JN
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 400V 56A ISOTOP
Descrizione dettagliata
Pacchetto
SOT-227-4, miniBLOC
Scheda dati
APT40M75JN.pdf
In magazzino: 3740

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche APT40M75JN
Specifiche tecniche Microsemi Corporation - APT40M75JN, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Microsemi Corporation - APT40M75JN

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Microsemi  
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 2.5mA  
Vgs (Max) ±30V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore ISOTOP®  
Serie POWER MOS IV®  
Rds On (max) a Id, Vgs 75mOhm @ 28A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 520W (Tc)  
Contenitore / involucro SOT-227-4, miniBLOC  
Pacchetto Tray  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Chassis Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 6800 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 370 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 400 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 56A (Tc)  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Microsemi Corporation APT40M75JN

Proprietà del prodotto APT40M75JN APT43M60L APT40M42JN APT40M35JVFR
Modello di prodotti APT40M75JN APT43M60L APT40M42JN APT40M35JVFR
fabbricante Microsemi Corporation Microchip Technology Microsemi Corporation Microsemi Corporation
Tensione drain-source (Vdss) 400 V 600 V 400 V 400 V
Rds On (max) a Id, Vgs 75mOhm @ 28A, 10V 150mOhm @ 21A, 10V 42mOhm @ 43A, 10V 35mOhm @ 46.5A, 10V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 370 nC @ 10 V 215 nC @ 10 V 760 nC @ 10 V 1065 nC @ 10 V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 6800 pF @ 25 V 8590 pF @ 25 V 14000 pF @ 25 V 20160 pF @ 25 V
Tipo montaggio Chassis Mount Through Hole Chassis Mount Chassis Mount
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 56A (Tc) 45A (Tc) 86A (Tc) 93A (Tc)
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Caratteristica FET - - - -
Vgs (Max) ±30V ±30V ±30V ±30V
Contenitore / involucro SOT-227-4, miniBLOC TO-264-3, TO-264AA SOT-227-4, miniBLOC SOT-227-4, miniBLOC
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Serie POWER MOS IV® POWER MOS 8™ POWER MOS IV® POWER MOS V®
Pacchetto Tray Tube Tray Tube
Contenitore dispositivo fornitore ISOTOP® TO-264 [L] ISOTOP® ISOTOP®
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 2.5mA 5V @ 2.5mA 4V @ 5mA 4V @ 5mA
Dissipazione di potenza (max) 520W (Tc) 780W (Tc) 690W (Tc) 700W (Tc)
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)

APT40M75JN Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica APT40M75JN PDF e la documentazione Microsemi Corporation per APT40M75JN - Microsemi Corporation.

Informazioni ambientali
Microchip CA Prop65.pdf Microchip REACH.pdf Microchip RoHS.pdf
Schede tecniche
APT40M75JN.pdf
PCN Obsolescence/ EOL
Legacy Prod EOL 1/Mar/2017.pdf

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
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Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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