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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloAPT40M35JVFR
APT40M35JVFR Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

APT40M35JVFR - Microsemi Corporation

fabbricante Modello di prodotti
APT40M35JVFR
fabbricante
Microsemi
Allelco Modello di prodotti
32D-APT40M35JVFR
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 400V 93A ISOTOP
Descrizione dettagliata
Pacchetto
SOT-227-4, miniBLOC
Scheda dati
APT40M35JVFR.pdf
In magazzino: 5010

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Specifiche

Specifiche tecnologiche APT40M35JVFR
Specifiche tecniche Microsemi Corporation - APT40M35JVFR, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Microsemi Corporation - APT40M35JVFR

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Microsemi  
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 5mA  
Vgs (Max) ±30V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore ISOTOP®  
Serie POWER MOS V®  
Rds On (max) a Id, Vgs 35mOhm @ 46.5A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 700W (Tc)  
Contenitore / involucro SOT-227-4, miniBLOC  
Pacchetto Tube  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Chassis Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 20160 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 1065 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 400 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 93A (Tc)  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Microsemi Corporation APT40M35JVFR

Proprietà del prodotto APT40M35JVFR APT41F100J APT40M75JN APT40N60JCU2
Modello di prodotti APT40M35JVFR APT41F100J APT40M75JN APT40N60JCU2
fabbricante Microsemi Corporation Microchip Technology Microsemi Corporation Microchip Technology
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 93A (Tc) 42A (Tc) 56A (Tc) 40A (Tc)
Contenitore / involucro SOT-227-4, miniBLOC SOT-227-4, miniBLOC SOT-227-4, miniBLOC SOT-227-4, miniBLOC
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 20160 pF @ 25 V 18500 pF @ 25 V 6800 pF @ 25 V 7015 pF @ 25 V
Dissipazione di potenza (max) 700W (Tc) 960W (Tc) 520W (Tc) 290W (Tc)
Pacchetto Tube Tube Tray Bulk
Tipo montaggio Chassis Mount Chassis Mount Chassis Mount Chassis Mount
Vgs (Max) ±30V ±30V ±30V ±20V
Tensione drain-source (Vdss) 400 V 1000 V 400 V 600 V
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 1065 nC @ 10 V 570 nC @ 10 V 370 nC @ 10 V 259 nC @ 10 V
Contenitore dispositivo fornitore ISOTOP® ISOTOP® ISOTOP® SOT-227
Rds On (max) a Id, Vgs 35mOhm @ 46.5A, 10V 210mOhm @ 33A, 10V 75mOhm @ 28A, 10V 70mOhm @ 20A, 10V
Serie POWER MOS V® - POWER MOS IV® -
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Caratteristica FET - - - -
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 5mA 5V @ 5mA 4V @ 2.5mA 3.9V @ 1mA

APT40M35JVFR Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica APT40M35JVFR PDF e la documentazione Microsemi Corporation per APT40M35JVFR - Microsemi Corporation.

Informazioni ambientali
Microchip CA Prop65.pdf Microchip REACH.pdf Microchip RoHS.pdf
Schede tecniche
APT40M35JVFR.pdf
PCN Obsolescence/ EOL
Mult Device OBS 15/Sep/2016.pdf

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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APT40M35JVFR

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