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United States(English) Canada(English) Mexico(español)
CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistori-IGBTs-singoloAPT11GF120BRDQ1G
Microsemi Corporation
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

APT11GF120BRDQ1G - Microsemi Corporation

fabbricante Modello di prodotti
APT11GF120BRDQ1G
fabbricante
Microsemi
Allelco Modello di prodotti
32D-APT11GF120BRDQ1G
Modello ECAD
Descrizione delle parti
IGBT 1200V 25A 156W TO247
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-247-3
Scheda dati
APT11GF120BRDQ1(G).pdf
In magazzino: 5080

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Specifiche

Specifiche tecnologiche APT11GF120BRDQ1G
Specifiche tecniche Microsemi Corporation - APT11GF120BRDQ1G, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Microsemi Corporation - APT11GF120BRDQ1G

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Microsemi  
Tensione - rottura collettore-emettitore (max) 1200 V  
Vce (on) (max) a VGE, Ic 3V @ 15V, 8A  
Condizione di test 800V, 8A, 10Ohm, 15V  
Td (on / off) @ 25 ° C 7ns/100ns  
di scambio energetico 300µJ (on), 285µJ (off)  
Contenitore dispositivo fornitore TO-247 [B]  
Serie -  
Potenza - Max 156 W  
Contenitore / involucro TO-247-3  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
Pacchetto Tube  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Through Hole  
Tipo di ingresso Standard  
Tipo IGBT NPT  
carica gate 65 nC  
Corrente - collettore Pulsed (Icm) 24 A  
Corrente - collettore (Ic) (max) 25 A  
Numero di prodotto di base APT11G  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Microsemi Corporation APT11GF120BRDQ1G

Proprietà del prodotto APT11GF120BRDQ1G APT10SCD65K APT12031JFLL APT1201R6BVR
Modello di prodotti APT11GF120BRDQ1G APT10SCD65K APT12031JFLL APT1201R6BVR
fabbricante Microsemi Corporation Microsemi Corporation Microchip Technology APT
Contenitore dispositivo fornitore TO-247 [B] TO-220-2 ISOTOP® -
di scambio energetico 300µJ (on), 285µJ (off) - - -
Vce (on) (max) a VGE, Ic 3V @ 15V, 8A - - -
Tipo di ingresso Standard - - -
Tipo IGBT NPT - - -
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) - -55°C ~ 150°C (TJ) -
Serie - - POWER MOS 7® -
Tipo montaggio Through Hole Through Hole Chassis Mount -
Contenitore / involucro TO-247-3 TO-220-2 SOT-227-4, miniBLOC -
Numero di prodotto di base APT11G - APT12031 -
Corrente - collettore Pulsed (Icm) 24 A - - -
Tensione - rottura collettore-emettitore (max) 1200 V - - -
Condizione di test 800V, 8A, 10Ohm, 15V - - -
Potenza - Max 156 W - - -
Td (on / off) @ 25 ° C 7ns/100ns - - -
Corrente - collettore (Ic) (max) 25 A - - -
Pacchetto Tube Bulk Tube -
carica gate 65 nC - - -

APT11GF120BRDQ1G Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica APT11GF120BRDQ1G PDF e la documentazione Microsemi Corporation per APT11GF120BRDQ1G - Microsemi Corporation.

Informazioni ambientali
Microchip CA Prop65.pdf Microchip REACH.pdf Microchip RoHS.pdf
Schede tecniche
APT11GF120BRDQ1(G).pdf

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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