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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiDiodi-raddrizzatori-singoloAPT10SCD65K
Microsemi Corporation
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

APT10SCD65K - Microsemi Corporation

fabbricante Modello di prodotti
APT10SCD65K
fabbricante
Microsemi
Allelco Modello di prodotti
32D-APT10SCD65K
Modello ECAD
Descrizione delle parti
DIODE SIL CARB 650V 17A TO220
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-220-2
Scheda dati
APT10SCD65K.pdf
In magazzino: 4240

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche APT10SCD65K
Specifiche tecniche Microsemi Corporation - APT10SCD65K, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Microsemi Corporation - APT10SCD65K

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Microsemi  
Tensione - diretta (Vf) (max) a If 1.8 V @ 10 A  
Tensione - inversa (Vr) (max) 650 V  
Tecnologia SiC (Silicon Carbide) Schottky  
Contenitore dispositivo fornitore TO-220-2  
Velocità No Recovery Time > 500mA (Io)  
Serie -  
Tempo di ripristino inverso (trr) 0 ns  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
Contenitore / involucro TO-220-2  
Pacchetto Bulk  
Temperatura di funzionamento - Giunzione -55°C ~ 150°C  
Tipo montaggio Through Hole  
Corrente - Dispersione inversa a Vr 200 µA @ 650 V  
Corrente - raddrizzata media (Io) 17A  
Capacità a Vr, F 300pF @ 1V, 1MHz  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Microsemi Corporation APT10SCD65K

Proprietà del prodotto APT10SCD65K APT10M25SVR APT10M11JVRU2 APT10M11JVRU3
Modello di prodotti APT10SCD65K APT10M25SVR APT10M11JVRU2 APT10M11JVRU3
fabbricante Microsemi Corporation APT Microchip Technology Microchip Technology
Capacità a Vr, F 300pF @ 1V, 1MHz - - -
Tempo di ripristino inverso (trr) 0 ns - - -
Tensione - inversa (Vr) (max) 650 V - - -
Contenitore / involucro TO-220-2 - SOT-227-4, miniBLOC SOT-227-4, miniBLOC
Tecnologia SiC (Silicon Carbide) Schottky - MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Pacchetto Bulk - Bulk Bulk
Corrente - Dispersione inversa a Vr 200 µA @ 650 V - - -
Serie - - - -
Velocità No Recovery Time > 500mA (Io) - - -
Tensione - diretta (Vf) (max) a If 1.8 V @ 10 A - - -
Corrente - raddrizzata media (Io) 17A - - -
Tipo montaggio Through Hole - Chassis Mount Chassis Mount
Contenitore dispositivo fornitore TO-220-2 - SOT-227 SOT-227
Temperatura di funzionamento - Giunzione -55°C ~ 150°C - - -

APT10SCD65K Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica APT10SCD65K PDF e la documentazione Microsemi Corporation per APT10SCD65K - Microsemi Corporation.

Informazioni ambientali
Microchip CA Prop65.pdf Microchip REACH.pdf Microchip RoHS.pdf
PCN Obsolescence/ EOL
Mult Devices 16/Oct/2017.pdf

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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