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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloVN2210N2
VN2210N2 Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

VN2210N2 - Microchip Technology

fabbricante Modello di prodotti
VN2210N2
fabbricante
Microchip Technology
Allelco Modello di prodotti
32D-VN2210N2
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 100V 1.7A TO39
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Scheda dati
VN2210N2.pdf
In magazzino: 2227

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Specifiche

Specifiche tecnologiche VN2210N2
Specifiche tecniche Microchip Technology - VN2210N2, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Microchip Technology - VN2210N2

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Microchip Technology  
Vgs (th) (max) a Id 2.4V @ 10mA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore TO-39  
Serie -  
Rds On (max) a Id, Vgs 350mOhm @ 4A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 360mW (Tc)  
Contenitore / involucro TO-205AD, TO-39-3 Metal Can  
Pacchetto Bag  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Through Hole  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 500 pF @ 25 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 5V, 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 100 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 1.7A (Tj)  
Numero di prodotto di base VN2210  

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Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Microchip Technology VN2210N2

Proprietà del prodotto VN2210N2 VN2222LL VN2110K1-G VN2210N3-G
Modello di prodotti VN2210N2 VN2222LL VN2110K1-G VN2210N3-G
fabbricante Microchip Technology onsemi Microchip Technology Microchip Technology
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Dissipazione di potenza (max) 360mW (Tc) 400mW (Ta) 360mW (Tc) 740mW (Tc)
Contenitore / involucro TO-205AD, TO-39-3 Metal Can TO-226-3, TO-92-3 Long Body (Formed Leads) TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Numero di prodotto di base VN2210 VN2222 VN2110 VN2210
Vgs (th) (max) a Id 2.4V @ 10mA 2.5V @ 1mA 2.4V @ 1mA 2.4V @ 10mA
Tipo montaggio Through Hole Through Hole Surface Mount Through Hole
Contenitore dispositivo fornitore TO-39 TO-92 (TO-226) SOT-23-3 TO-92-3
Pacchetto Bag Tape & Box (TB) Tape & Reel (TR) Bag
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 5V, 10V 10V 5V, 10V 5V, 10V
Serie - - - -
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Rds On (max) a Id, Vgs 350mOhm @ 4A, 10V 7.5Ohm @ 500mA, 10V 4Ohm @ 500mA, 10V 350mOhm @ 4A, 10V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Tensione drain-source (Vdss) 100 V 60 V 100 V 100 V
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 1.7A (Tj) 150mA (Ta) 200mA (Tj) 1.2A (Tj)
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 500 pF @ 25 V 60 pF @ 25 V 50 pF @ 25 V 500 pF @ 25 V
Caratteristica FET - - - -

VN2210N2 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica VN2210N2 PDF e la documentazione Microchip Technology per VN2210N2 - Microchip Technology.

Packaging PCN
Label and Packing Changes 23/Sep/2015.pdf
Informazioni ambientali
Microchip CA Prop65.pdf Microchip REACH.pdf Microchip RoHS.pdf

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Regione Paese Tempo logistico (giorno)
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Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
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Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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