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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloVN2110K1-G
Microchip Technology
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

VN2110K1-G - Microchip Technology

fabbricante Modello di prodotti
VN2110K1-G
fabbricante
Microchip Technology
Allelco Modello di prodotti
32D-VN2110K1-G
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 100V 200MA SOT23-3
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Scheda dati
VN2110.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 67380

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche VN2110K1-G
Specifiche tecniche Microchip Technology - VN2110K1-G, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Microchip Technology - VN2110K1-G

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Microchip Technology  
Vgs (th) (max) a Id 2.4V @ 1mA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore SOT-23-3  
Serie -  
Rds On (max) a Id, Vgs 4Ohm @ 500mA, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 360mW (Tc)  
Contenitore / involucro TO-236-3, SC-59, SOT-23-3  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 50 pF @ 25 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 5V, 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 100 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 200mA (Tj)  
Numero di prodotto di base VN2110  

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Proprietà del prodotto VN2110K1-G VN2106N3-G VN2222LL-G VN2210N3-G
Modello di prodotti VN2110K1-G VN2106N3-G VN2222LL-G VN2210N3-G
fabbricante Microchip Technology Microchip Technology Microchip Technology Microchip Technology
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Contenitore / involucro TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Tipo montaggio Surface Mount Through Hole Through Hole Through Hole
Vgs (Max) ±20V ±20V ±30V ±20V
Vgs (th) (max) a Id 2.4V @ 1mA 2.4V @ 1mA 2.5V @ 1mA 2.4V @ 10mA
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 200mA (Tj) 300mA (Tj) 230mA (Tj) 1.2A (Tj)
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 50 pF @ 25 V 50 pF @ 25 V 60 pF @ 25 V 500 pF @ 25 V
Serie - - - -
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore SOT-23-3 TO-92-3 TO-92-3 TO-92-3
Tensione drain-source (Vdss) 100 V 60 V 60 V 100 V
Numero di prodotto di base VN2110 VN2106 VN2222 VN2210
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 5V, 10V 5V, 10V 5V, 10V 5V, 10V
Pacchetto Tape & Reel (TR) Bag Bag Bag
Dissipazione di potenza (max) 360mW (Tc) 1W (Tc) 400mW (Ta), 1W (Tc) 740mW (Tc)
Caratteristica FET - - - -
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (max) a Id, Vgs 4Ohm @ 500mA, 10V 4Ohm @ 500mA, 10V 7.5Ohm @ 500mA, 10V 350mOhm @ 4A, 10V

VN2110K1-G Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica VN2110K1-G PDF e la documentazione Microchip Technology per VN2110K1-G - Microchip Technology.

Packaging PCN
Label and Packing Changes 23/Sep/2015.pdf Packing Changes 10/Oct/2016.pdf
Informazioni ambientali
Microchip CA Prop65.pdf Microchip REACH.pdf Microchip RoHS.pdf
Assemblaggio/origine PCN
Additional Fabrication Site 03/Sep/2014.pdf
Schede tecniche
VN2110.pdf
PCN Design/Specifica
VN2110 03/Sep/2021.pdf

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Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
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Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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