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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloAPT5010JVR
Microchip Technology
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

APT5010JVR - Microchip Technology

fabbricante Modello di prodotti
APT5010JVR
fabbricante
Microchip Technology
Allelco Modello di prodotti
32D-APT5010JVR
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 500V 44A ISOTOP
Descrizione dettagliata
Pacchetto
SOT-227-4, miniBLOC
Scheda dati
APT5010JVR.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 1222

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche APT5010JVR
Specifiche tecniche Microchip Technology - APT5010JVR, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Microchip Technology - APT5010JVR

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Microchip Technology  
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 2.5mA  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore ISOTOP®  
Serie POWER MOS V®  
Rds On (max) a Id, Vgs 100mOhm @ 500mA, 10V  
Contenitore / involucro SOT-227-4, miniBLOC  
Pacchetto Tube  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
Tipo montaggio Chassis Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 8900 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 470 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione drain-source (Vdss) 500 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 44A (Tc)  
Numero di prodotto di base APT5010  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Microchip Technology APT5010JVR

Proprietà del prodotto APT5010JVR APT5010JLL APT5010JLLU2 APT5010JFLL
Modello di prodotti APT5010JVR APT5010JLL APT5010JLLU2 APT5010JFLL
fabbricante Microchip Technology Microchip Technology Microchip Technology Microchip Technology
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 44A (Tc) 41A (Tc) 41A (Tc) 41A (Tc)
Tensione drain-source (Vdss) 500 V 500 V 500 V 500 V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 8900 pF @ 25 V 4360 pF @ 25 V 4360 pF @ 25 V 4360 pF @ 25 V
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 2.5mA 5V @ 2.5mA 5V @ 2.5mA 5V @ 2.5mA
Rds On (max) a Id, Vgs 100mOhm @ 500mA, 10V 100mOhm @ 20.5A, 10V 100mOhm @ 23A, 10V 100mOhm @ 20.5A, 10V
Serie POWER MOS V® POWER MOS 7® - POWER MOS 7®
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Tipo montaggio Chassis Mount Chassis Mount Chassis Mount Chassis Mount
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Caratteristica FET - - - -
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 470 nC @ 10 V 95 nC @ 10 V 96 nC @ 10 V 95 nC @ 10 V
Contenitore / involucro SOT-227-4, miniBLOC SOT-227-4, miniBLOC SOT-227-4, miniBLOC SOT-227-4, miniBLOC
Numero di prodotto di base APT5010 APT5010 APT5010 -
Contenitore dispositivo fornitore ISOTOP® ISOTOP® SOT-227 ISOTOP®
Pacchetto Tube Tube Bulk Tube

APT5010JVR Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica APT5010JVR PDF e la documentazione Microchip Technology per APT5010JVR - Microchip Technology.

Informazioni ambientali
Microchip CA Prop65.pdf Microchip REACH.pdf Microchip RoHS.pdf
PCN Altro
Integration 13/May/2020.pdf

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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