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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloAPT5010JLLU3
APT5010JLLU3 Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

APT5010JLLU3 - Microchip Technology

fabbricante Modello di prodotti
APT5010JLLU3
fabbricante
Microchip Technology
Allelco Modello di prodotti
32D-APT5010JLLU3
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 500V 41A SOT227
Descrizione dettagliata
Pacchetto
SOT-227-4, miniBLOC
Scheda dati
Power Products Catalog.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 1416

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche APT5010JLLU3
Specifiche tecniche Microchip Technology - APT5010JLLU3, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Microchip Technology - APT5010JLLU3

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Microchip Technology  
Vgs (th) (max) a Id 5V @ 2.5mA  
Vgs (Max) ±30V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore SOT-227  
Serie POWER MOS 7®  
Rds On (max) a Id, Vgs 100mOhm @ 23A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 378W (Tc)  
Contenitore / involucro SOT-227-4, miniBLOC  
Pacchetto Bulk  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Chassis Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 4360 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 96 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 500 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 41A (Tc)  
Numero di prodotto di base APT5010  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Microchip Technology APT5010JLLU3

Proprietà del prodotto APT5010JLLU3 APT5010LFLLG APT5010JVFR APT5010LLLG
Modello di prodotti APT5010JLLU3 APT5010LFLLG APT5010JVFR APT5010LLLG
fabbricante Microchip Technology Microchip Technology Microchip Technology Microchip Technology
Serie POWER MOS 7® POWER MOS 7® POWER MOS V® POWER MOS 7®
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 96 nC @ 10 V 95 nC @ 10 V 470 nC @ 10 V 95 nC @ 10 V
Vgs (Max) ±30V ±30V - ±30V
Dissipazione di potenza (max) 378W (Tc) 520W (Tc) - 520W (Tc)
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 41A (Tc) 46A (Tc) 44A (Tc) 46A (Tc)
Contenitore dispositivo fornitore SOT-227 TO-264 [L] ISOTOP® TO-264 [L]
Caratteristica FET - - - -
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Tensione drain-source (Vdss) 500 V 500 V 500 V 500 V
Pacchetto Bulk Tube Tube Tube
Vgs (th) (max) a Id 5V @ 2.5mA 5V @ 2.5mA 4V @ 2.5mA 5V @ 2.5mA
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 4360 pF @ 25 V 4360 pF @ 25 V 8900 pF @ 25 V 4360 pF @ 25 V
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) - -55°C ~ 150°C (TJ)
Numero di prodotto di base APT5010 APT5010 APT5010 APT5010
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Tipo montaggio Chassis Mount Through Hole Chassis Mount Through Hole
Contenitore / involucro SOT-227-4, miniBLOC TO-264-3, TO-264AA SOT-227-4, miniBLOC TO-264-3, TO-264AA
Rds On (max) a Id, Vgs 100mOhm @ 23A, 10V 100mOhm @ 23A, 10V 100mOhm @ 500mA, 10V 100mOhm @ 23A, 10V
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V - 10V

APT5010JLLU3 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica APT5010JLLU3 PDF e la documentazione Microchip Technology per APT5010JLLU3 - Microchip Technology.

Informazioni ambientali
Microchip CA Prop65.pdf Microchip REACH.pdf Microchip RoHS.pdf
PCN Altro
Integration 13/May/2020.pdf
Foglio dati HTML
Power Products Catalog.pdf

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Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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