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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-matriciCSD88599Q5DC
Texas Instruments
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.
OPZIONE ESPRIT
Metodo di pagamento

CSD88599Q5DC - Texas Instruments

fabbricante Modello di prodotti
CSD88599Q5DC
fabbricante
Texas Instruments
Allelco Modello di prodotti
32D-CSD88599Q5DC
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET 2 N-CH 60V 22-VSON-CLIP
Pacchetto
22-PowerTFDFN
Scheda dati
CSD88599Q5DC.pdf
Stato RoHS
La nostra certificazione
In magazzino: 13958

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Quantità
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Specifiche

Specifiche tecnologiche CSD88599Q5DC
Specifiche tecniche Texas Instruments - CSD88599Q5DC, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Texas Instruments - CSD88599Q5DC

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Texas Instruments  
Vgs (th) (max) a Id 2.5V @ 250µA  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore 22-VSON-CLIP (5x6)  
Serie NexFET™  
Rds On (max) a Id, Vgs 2.1mOhm @ 30A, 10V  
Potenza - Max 12W  
Contenitore / involucro 22-PowerTFDFN  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 4840pF @ 30V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 27nC @ 4.5V  
Caratteristica FET -  
Tensione drain-source (Vdss) 60V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C -  
Configurazione 2 N-Channel (Half Bridge)  
Numero di prodotto di base CSD88599Q5  

Classificazioni ambientali e di esportazione

ATTRIBUTO DESCRIZIONE
Stato RoHS
Livello di sensibilità all'umidità (MSL) 1 (Unlimited)
Raggiungere lo stato REACH Unaffected
ECCN EAR99
HTSUS

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Texas Instruments CSD88599Q5DC

Proprietà del prodotto CSD88599Q5DC CSD88599Q5DCT CSD88539NDT CSD88537NDT
Modello di prodotti CSD88599Q5DC CSD88599Q5DCT CSD88539NDT CSD88537NDT
fabbricante Texas Instruments Texas Instruments Texas Instruments Texas Instruments
Contenitore / involucro 22-PowerTFDFN 22-PowerTFDFN 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Caratteristica FET - - Logic Level Gate -
Potenza - Max 12W 12W 2.1W 2.1W
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Contenitore dispositivo fornitore 22-VSON-CLIP (5x6) 22-VSON-CLIP (5x6) 8-SOIC 8-SOIC
Vgs (th) (max) a Id 2.5V @ 250µA 2.5V @ 250µA 3.6V @ 250µA 3.6V @ 250µA
Configurazione 2 N-Channel (Half Bridge) 2 N-Channel (Half Bridge) 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual)
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Tensione drain-source (Vdss) 60V 60V 60V 60V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 27nC @ 4.5V 27nC @ 4.5V 9.4nC @ 10V 18nC @ 10V
Serie NexFET™ NexFET™ NexFET™ NexFET™
Rds On (max) a Id, Vgs 2.1mOhm @ 30A, 10V 2.1mOhm @ 30A, 10V 28mOhm @ 5A, 10V 15mOhm @ 8A, 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 4840pF @ 30V 4840pF @ 30V 741pF @ 30V 1400pF @ 30V
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C - - 15A 15A
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Numero di prodotto di base CSD88599Q5 CSD88599Q5 CSD88539 CSD88537

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Nota:
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