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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-matriciCSD88539ND
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CSD88539ND - Texas Instruments

fabbricante Modello di prodotti
CSD88539ND
fabbricante
Texas Instruments
Allelco Modello di prodotti
32D-CSD88539ND
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET 2N-CH 60V 15A 8SOIC
Descrizione dettagliata
Pacchetto
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Scheda dati
CSD88539ND.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 76810

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche CSD88539ND
Specifiche tecniche Texas Instruments - CSD88539ND, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Texas Instruments - CSD88539ND

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Texas Instruments  
Vgs (th) (max) a Id 3.6V @ 250µA  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore 8-SOIC  
Serie NexFET™  
Rds On (max) a Id, Vgs 28mOhm @ 5A, 10V  
Potenza - Max 2.1W  
Contenitore / involucro 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 741pF @ 30V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 9.4nC @ 10V  
Caratteristica FET -  
Tensione drain-source (Vdss) 60V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 15A  
Configurazione 2 N-Channel (Dual)  
Numero di prodotto di base CSD88539  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Texas Instruments CSD88539ND

Proprietà del prodotto CSD88539ND CSD88599Q5DCT CSD88584Q5DCT CSD88537ND
Modello di prodotti CSD88539ND CSD88599Q5DCT CSD88584Q5DCT CSD88537ND
fabbricante Texas Instruments Texas Instruments Texas Instruments Texas Instruments
Potenza - Max 2.1W 12W 12W 2.1W
Rds On (max) a Id, Vgs 28mOhm @ 5A, 10V 2.1mOhm @ 30A, 10V 0.95mOhm @ 30A, 10V 15mOhm @ 8A, 10V
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Numero di prodotto di base CSD88539 CSD88599Q5 CSD88584Q5 CSD88537
Serie NexFET™ NexFET™ NexFET™ NexFET™
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 15A - - 15A
Contenitore / involucro 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 22-PowerTFDFN 22-PowerTFDFN 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Contenitore dispositivo fornitore 8-SOIC 22-VSON-CLIP (5x6) 22-VSON-CLIP (5x6) 8-SOIC
Vgs (th) (max) a Id 3.6V @ 250µA 2.5V @ 250µA 2.3V @ 250µA 3.6V @ 250µA
Tensione drain-source (Vdss) 60V 60V 40V 60V
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Caratteristica FET - - - -
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 9.4nC @ 10V 27nC @ 4.5V 88nC @ 4.5V 18nC @ 10V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 741pF @ 30V 4840pF @ 30V 12400pF @ 20V 1400pF @ 30V
Configurazione 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Half Bridge) 2 N-Channel (Half Bridge) 2 N-Channel (Dual)

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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