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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloCSD25484F4
Texas Instruments
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

CSD25484F4 - Texas Instruments

fabbricante Modello di prodotti
CSD25484F4
fabbricante
Texas Instruments
Allelco Modello di prodotti
32D-CSD25484F4
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET P-CH 20V 2.5A 3PICOSTAR
Descrizione dettagliata
Pacchetto
3-XFDFN
Scheda dati
CSD25484F4.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 409620

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche CSD25484F4
Specifiche tecniche Texas Instruments - CSD25484F4, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Texas Instruments - CSD25484F4

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Texas Instruments  
Vgs (th) (max) a Id 1.2V @ 250µA  
Vgs (Max) -12V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore 3-PICOSTAR  
Serie FemtoFET™  
Rds On (max) a Id, Vgs 94mOhm @ 500mA, 8V  
Dissipazione di potenza (max) 500mW (Ta)  
Contenitore / involucro 3-XFDFN  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 230 pF @ 10 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 1.42 nC @ 4.5 V  
Tipo FET P-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 8V  
Tensione drain-source (Vdss) 20 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 2.5A (Ta)  
Numero di prodotto di base CSD25484  

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Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Texas Instruments CSD25484F4

Proprietà del prodotto CSD25484F4 CSD25481F4T CSD25501F3T CSD25485F5
Modello di prodotti CSD25484F4 CSD25481F4T CSD25501F3T CSD25485F5
fabbricante Texas Instruments Texas Instruments Texas Instruments Texas Instruments
Tipo FET P-Channel P-Channel P-Channel P-Channel
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 1.42 nC @ 4.5 V 0.91 nC @ 4.5 V 1.33 nC @ 4.5 V 3.5 nC @ 4.5 V
Contenitore / involucro 3-XFDFN 3-XFDFN 3-XFLGA 3-XFDFN
Serie FemtoFET™ FemtoFET™ FemtoFET™ FemtoFET™
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (max) a Id, Vgs 94mOhm @ 500mA, 8V 88mOhm @ 500mA, 8V 76mOhm @ 400mA, 4.5V 35mOhm @ 900mA, 8V
Vgs (th) (max) a Id 1.2V @ 250µA 1.2V @ 250µA 1.05V @ 250µA 1.3V @ 250µA
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 2.5A (Ta) 2.5A (Ta) 3.6A (Ta) 3.2A (Ta)
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Contenitore dispositivo fornitore 3-PICOSTAR 3-PICOSTAR 3-LGA (0.73x0.64) 3-PICOSTAR
Tensione drain-source (Vdss) 20 V 20 V 20 V 20 V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) -12V -12V -20V -12V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 230 pF @ 10 V 189 pF @ 10 V 385 pF @ 10 V 533 pF @ 10 V
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Dissipazione di potenza (max) 500mW (Ta) 500mW (Ta) 500mW (Ta) 500mW (Ta)
Caratteristica FET - - - -
Numero di prodotto di base CSD25484 CSD25481 CSD25501F3 CSD25485
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 8V 1.8V, 4.5V 1.8V, 4.5V 1.8V, 8V

CSD25484F4 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica CSD25484F4 PDF e la documentazione Texas Instruments per CSD25484F4 - Texas Instruments.

Assemblaggio/origine PCN
Assembly Site 16/Jun/2023.pdf

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