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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloCSD25480F3
Texas Instruments
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

CSD25480F3 - Texas Instruments

fabbricante Modello di prodotti
CSD25480F3
fabbricante
Texas Instruments
Allelco Modello di prodotti
32D-CSD25480F3
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET P-CH 20V 1.7A 3PICOSTAR
Descrizione dettagliata
Pacchetto
3-XFDFN
Scheda dati
CSD25480F3.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 305650

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche CSD25480F3
Specifiche tecniche Texas Instruments - CSD25480F3, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Texas Instruments - CSD25480F3

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Texas Instruments  
Vgs (th) (max) a Id 1.2V @ 250µA  
Vgs (Max) -12V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore 3-PICOSTAR  
Serie FemtoFET™  
Rds On (max) a Id, Vgs 132mOhm @ 400mA, 8V  
Dissipazione di potenza (max) 500mW (Ta)  
Contenitore / involucro 3-XFDFN  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 155 pF @ 10 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 0.91 nC @ 4.5 V  
Tipo FET P-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 8V  
Tensione drain-source (Vdss) 20 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 1.7A (Ta)  
Numero di prodotto di base CSD25480  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Texas Instruments CSD25480F3

Proprietà del prodotto CSD25480F3 CSD25304W1015 CSD25404Q3T CSD25485F5
Modello di prodotti CSD25480F3 CSD25304W1015 CSD25404Q3T CSD25485F5
fabbricante Texas Instruments Texas Instruments Texas Instruments Texas Instruments
Rds On (max) a Id, Vgs 132mOhm @ 400mA, 8V 32.5mOhm @ 1.5A, 4.5V 6.5mOhm @ 10A, 4.5V 35mOhm @ 900mA, 8V
Serie FemtoFET™ NexFET™ NexFET™ FemtoFET™
Tipo FET P-Channel P-Channel P-Channel P-Channel
Caratteristica FET - - - -
Vgs (Max) -12V ±8V ±12V -12V
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 1.7A (Ta) 3A (Ta) 104A (Tc) 3.2A (Ta)
Dissipazione di potenza (max) 500mW (Ta) 750mW (Ta) 2.8W (Ta), 96W (Tc) 500mW (Ta)
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Vgs (th) (max) a Id 1.2V @ 250µA 1.15V @ 250µA 1.15V @ 250µA 1.3V @ 250µA
Tensione drain-source (Vdss) 20 V 20 V 20 V 20 V
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 8V 1.8V, 4.5V 1.8V, 4.5V 1.8V, 8V
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 155 pF @ 10 V 595 pF @ 10 V 2120 pF @ 10 V 533 pF @ 10 V
Contenitore / involucro 3-XFDFN 6-UFBGA, DSBGA 8-PowerVDFN 3-XFDFN
Numero di prodotto di base CSD25480 CSD25304 CSD25404 CSD25485
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 0.91 nC @ 4.5 V 4.4 nC @ 4.5 V 14.1 nC @ 4.5 V 3.5 nC @ 4.5 V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Contenitore dispositivo fornitore 3-PICOSTAR 6-DSBGA (1x1.5) 8-VSONP (3x3.15) 3-PICOSTAR

CSD25480F3 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica CSD25480F3 PDF e la documentazione Texas Instruments per CSD25480F3 - Texas Instruments.

PCN Design/Specifica
CSDx 15/Mar/2022.pdf

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Europa Germania 5
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Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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