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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloCSD25301W1015
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Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

CSD25301W1015 - Texas Instruments

fabbricante Modello di prodotti
CSD25301W1015
fabbricante
Texas Instruments
Allelco Modello di prodotti
32D-CSD25301W1015
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET P-CH 20V 2.2A 6DSBGA
Descrizione dettagliata
Pacchetto
6-UFBGA, DSBGA
Scheda dati
CSD25301W1015.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 4090

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche CSD25301W1015
Specifiche tecniche Texas Instruments - CSD25301W1015, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Texas Instruments - CSD25301W1015

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Texas Instruments  
Vgs (th) (max) a Id 1V @ 250µA  
Vgs (Max) ±8V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore 6-DSBGA (1x1.5)  
Serie NexFET™  
Rds On (max) a Id, Vgs 75mOhm @ 1A, 4.5V  
Dissipazione di potenza (max) 1.5W (Ta)  
Contenitore / involucro 6-UFBGA, DSBGA  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 270 pF @ 10 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 2.5 nC @ 4.5 V  
Tipo FET P-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 1.5V, 4.5V  
Tensione drain-source (Vdss) 20 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 2.2A (Tc)  
Numero di prodotto di base CSD2530  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Texas Instruments CSD25301W1015

Proprietà del prodotto CSD25301W1015 CSD25213W10 CSD25202W15 CSD25211W1015
Modello di prodotti CSD25301W1015 CSD25213W10 CSD25202W15 CSD25211W1015
fabbricante Texas Instruments Texas Instruments Texas Instruments Texas Instruments
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 2.2A (Tc) 1.6A (Ta) 4A (Ta) 3.2A (Ta)
Tipo FET P-Channel P-Channel P-Channel P-Channel
Rds On (max) a Id, Vgs 75mOhm @ 1A, 4.5V 47mOhm @ 1A, 4.5V 26mOhm @ 2A, 4.5V 33mOhm @ 1.5A, 4.5V
Vgs (th) (max) a Id 1V @ 250µA 1.1V @ 250µA 1.05V @ 250µA 1.1V @ 250µA
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 1.5V, 4.5V 2.5V, 4.5V 1.8V, 4.5V 2.5V, 4.5V
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Caratteristica FET - - - -
Dissipazione di potenza (max) 1.5W (Ta) 1W (Ta) 500mW (Ta) 1W (Ta)
Contenitore dispositivo fornitore 6-DSBGA (1x1.5) 4-DSBGA (1x1) 9-DSBGA 6-DSBGA (1x1.5)
Serie NexFET™ NexFET™ NexFET™ NexFET™
Contenitore / involucro 6-UFBGA, DSBGA 4-UFBGA, DSBGA 9-UFBGA, DSBGA 6-UFBGA, DSBGA
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Tensione drain-source (Vdss) 20 V 20 V 20 V 20 V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 270 pF @ 10 V 478 pF @ 10 V 1010 pF @ 10 V 570 pF @ 10 V
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Numero di prodotto di base CSD2530 CSD25213 CSD25202 CSD25211
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 2.5 nC @ 4.5 V 2.9 nC @ 4.5 V 7.5 nC @ 4.5 V 4.1 nC @ 4.5 V
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Vgs (Max) ±8V -6V -6V -6V

CSD25301W1015 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica CSD25301W1015 PDF e la documentazione Texas Instruments per CSD25301W1015 - Texas Instruments.

Packaging PCN
Carrier Tape 28/Aug/2018.pdf DSBGA-6L Carrier Tape Change 28/Oct/2013.pdf
PCN Design/Specifica
DSBGA/Usip 14/Sep/2016.pdf DSBGA/uSIP 22/Jun/2016.pdf
PCN Obsolescence/ EOL
Multiple Devices 20/Feb/2014.pdf

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Regione Paese Tempo logistico (giorno)
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Europa Germania 5
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Asia India 4
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Medio Oriente Israele 6
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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