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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloCSD25211W1015
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Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

CSD25211W1015 - Texas Instruments

fabbricante Modello di prodotti
CSD25211W1015
fabbricante
Texas Instruments
Allelco Modello di prodotti
32D-CSD25211W1015
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET P-CH 20V 3.2A 6DSBGA
Descrizione dettagliata
Pacchetto
6-UFBGA, DSBGA
Scheda dati
CSD25211W1015.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 181160

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche CSD25211W1015
Specifiche tecniche Texas Instruments - CSD25211W1015, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Texas Instruments - CSD25211W1015

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Texas Instruments  
Vgs (th) (max) a Id 1.1V @ 250µA  
Vgs (Max) -6V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore 6-DSBGA (1x1.5)  
Serie NexFET™  
Rds On (max) a Id, Vgs 33mOhm @ 1.5A, 4.5V  
Dissipazione di potenza (max) 1W (Ta)  
Contenitore / involucro 6-UFBGA, DSBGA  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 570 pF @ 10 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 4.1 nC @ 4.5 V  
Tipo FET P-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V  
Tensione drain-source (Vdss) 20 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 3.2A (Ta)  
Numero di prodotto di base CSD25211  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Texas Instruments CSD25211W1015

Proprietà del prodotto CSD25211W1015 CSD25301W1015 CSD25303W1015 CSD25310Q2
Modello di prodotti CSD25211W1015 CSD25301W1015 CSD25303W1015 CSD25310Q2
fabbricante Texas Instruments Texas Instruments Texas Instruments Texas Instruments
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 570 pF @ 10 V 270 pF @ 10 V 435 pF @ 10 V 655 pF @ 10 V
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 3.2A (Ta) 2.2A (Tc) 3A (Tc) 20A (Ta)
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Contenitore dispositivo fornitore 6-DSBGA (1x1.5) 6-DSBGA (1x1.5) 6-DSBGA (1x1.5) 6-WSON (2x2)
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 4.1 nC @ 4.5 V 2.5 nC @ 4.5 V 4.3 nC @ 4.5 V 4.7 nC @ 4.5 V
Vgs (Max) -6V ±8V ±8V ±8V
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V 1.5V, 4.5V 1.8V, 4.5V 1.8V, 4.5V
Tensione drain-source (Vdss) 20 V 20 V 20 V 20 V
Vgs (th) (max) a Id 1.1V @ 250µA 1V @ 250µA 1V @ 250µA 1.1V @ 250µA
Tipo FET P-Channel P-Channel P-Channel P-Channel
Numero di prodotto di base CSD25211 CSD2530 CSD2530 CSD25310
Rds On (max) a Id, Vgs 33mOhm @ 1.5A, 4.5V 75mOhm @ 1A, 4.5V 58mOhm @ 1.5A, 4.5V 23.9mOhm @ 5A, 4.5V
Dissipazione di potenza (max) 1W (Ta) 1.5W (Ta) 1.5W (Ta) 2.9W (Ta)
Caratteristica FET - - - -
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Serie NexFET™ NexFET™ NexFET™ NexFET™
Contenitore / involucro 6-UFBGA, DSBGA 6-UFBGA, DSBGA 6-UFBGA, DSBGA 6-WDFN Exposed Pad

CSD25211W1015 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica CSD25211W1015 PDF e la documentazione Texas Instruments per CSD25211W1015 - Texas Instruments.

Packaging PCN
Carrier Tape 28/Aug/2018.pdf DSBGA-6L Carrier Tape Change 28/Oct/2013.pdf
PCN Design/Specifica
DSBGA/Usip 14/Sep/2016.pdf Mult Dev Marking Chgs 4/Apr/2023.pdf

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Regione Paese Tempo logistico (giorno)
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Europa Germania 5
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Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
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Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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Texas Instruments
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