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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloCSD18532Q5B
Texas Instruments
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

CSD18532Q5B - Texas Instruments

fabbricante Modello di prodotti
CSD18532Q5B
fabbricante
Texas Instruments
Allelco Modello di prodotti
32D-CSD18532Q5B
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 60V 100A 8VSON
Descrizione dettagliata
Pacchetto
8-PowerTDFN
Scheda dati
CSD18532Q5B.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 32961

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche CSD18532Q5B
Specifiche tecniche Texas Instruments - CSD18532Q5B, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Texas Instruments - CSD18532Q5B

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Texas Instruments  
Vgs (th) (max) a Id 2.2V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore 8-VSONP (5x6)  
Serie NexFET™  
Rds On (max) a Id, Vgs 3.2mOhm @ 25A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 3.2W (Ta), 156W (Tc)  
Contenitore / involucro 8-PowerTDFN  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 5070 pF @ 30 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 58 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 60 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 100A (Ta)  
Numero di prodotto di base CSD18532  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Texas Instruments CSD18532Q5B

Proprietà del prodotto CSD18532Q5B CSD18532KCS CSD18535KCS CSD18531Q5AT
Modello di prodotti CSD18532Q5B CSD18532KCS CSD18535KCS CSD18531Q5AT
fabbricante Texas Instruments Texas Instruments Texas Instruments Texas Instruments
Serie NexFET™ NexFET™ NexFET™ NexFET™
Contenitore / involucro 8-PowerTDFN TO-220-3 TO-220-3 8-PowerTDFN
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Numero di prodotto di base CSD18532 CSD18532 CSD18535 CSD18531
Rds On (max) a Id, Vgs 3.2mOhm @ 25A, 10V 4.2mOhm @ 100A, 10V 2mOhm @ 100A, 10V 4.6mOhm @ 22A, 10V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 100A (Ta) 100A (Tc) 200A (Ta) 100A (Ta)
Caratteristica FET - - - -
Tensione drain-source (Vdss) 60 V 60 V 60 V 60 V
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tube Tube Tape & Reel (TR)
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 58 nC @ 10 V 53 nC @ 10 V 81 nC @ 10 V 43 nC @ 10 V
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 5070 pF @ 30 V 4680 pF @ 30 V 6620 pF @ 30 V 3840 pF @ 30 V
Contenitore dispositivo fornitore 8-VSONP (5x6) TO-220-3 TO-220-3 8-VSONP (5x6)
Dissipazione di potenza (max) 3.2W (Ta), 156W (Tc) 250W (Tc) 300W (Tc) 3.1W (Ta), 156W (Tc)
Tipo montaggio Surface Mount Through Hole Through Hole Surface Mount
Vgs (th) (max) a Id 2.2V @ 250µA 2.2V @ 250µA 2.4V @ 250µA 2.3V @ 250µA
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V

CSD18532Q5B Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica CSD18532Q5B PDF e la documentazione Texas Instruments per CSD18532Q5B - Texas Instruments.

PCN Design/Specifica
Qualification Revision A 01/Jul/2014.pdf
Assemblaggio/origine PCN
VSON Additional Assembly Site 28/Oct/2013.pdf
Foglio dati HTML
CSD18532Q5B.pdf

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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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