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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloCSD16415Q5
Texas Instruments
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

CSD16415Q5 - Texas Instruments

fabbricante Modello di prodotti
CSD16415Q5
fabbricante
Texas Instruments
Allelco Modello di prodotti
32D-CSD16415Q5
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 25V 100A 8VSON
Descrizione dettagliata
Pacchetto
8-PowerTDFN
Scheda dati
CSD16415Q5.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 34844

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche CSD16415Q5
Specifiche tecniche Texas Instruments - CSD16415Q5, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Texas Instruments - CSD16415Q5

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Texas Instruments  
Vgs (th) (max) a Id 1.9V @ 250µA  
Vgs (Max) +16V, -12V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore 8-VSON-CLIP (5x6)  
Serie NexFET™  
Rds On (max) a Id, Vgs 1.15mOhm @ 40A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 3.2W (Ta)  
Contenitore / involucro 8-PowerTDFN  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 4100 pF @ 12.5 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 29 nC @ 4.5 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 25 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 100A (Tc)  
Numero di prodotto di base CSD16415  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Texas Instruments CSD16415Q5

Proprietà del prodotto CSD16415Q5 CSD16414Q5 CSD16556Q5B CSD16570Q5B
Modello di prodotti CSD16415Q5 CSD16414Q5 CSD16556Q5B CSD16570Q5B
fabbricante Texas Instruments Texas Instruments Texas Instruments Texas Instruments
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 4100 pF @ 12.5 V 3650 pF @ 12.5 V 6180 pF @ 15 V 14000 pF @ 12 V
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Contenitore dispositivo fornitore 8-VSON-CLIP (5x6) 8-VSON-CLIP (5x6) 8-VSONP (5x6) 8-VSON-CLIP (5x6)
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Serie NexFET™ NexFET™ NexFET™ NexFET™
Caratteristica FET - - - -
Numero di prodotto di base CSD16415 CSD16414 CSD16556 CSD16570
Vgs (th) (max) a Id 1.9V @ 250µA 2V @ 250µA 1.7V @ 250µA 1.9V @ 250µA
Contenitore / involucro 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN
Rds On (max) a Id, Vgs 1.15mOhm @ 40A, 10V 1.9mOhm @ 30A, 10V 1.07mOhm @ 30A, 10V 0.59mOhm @ 50A, 10V
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs (Max) +16V, -12V +16V, -12V ±20V ±20V
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 29 nC @ 4.5 V 21 nC @ 4.5 V 47 nC @ 4.5 V 250 nC @ 10 V
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Dissipazione di potenza (max) 3.2W (Ta) 3.2W (Ta) 3.2W (Ta), 191W (Tc) 3.2W (Ta), 195W (Tc)
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Tensione drain-source (Vdss) 25 V 25 V 25 V 25 V
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 100A (Tc) 34A (Ta), 100A (Tc) 100A (Tc) 100A (Ta)

CSD16415Q5 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica CSD16415Q5 PDF e la documentazione Texas Instruments per CSD16415Q5 - Texas Instruments.

PCN Design/Specifica
Qualification Revision A 01/Jul/2014.pdf
Assemblaggio/origine PCN
Assembly/Test Site Revision C 09/Feb/2015.pdf

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