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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloCSD16413Q5A
Texas Instruments
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

CSD16413Q5A - Texas Instruments

fabbricante Modello di prodotti
CSD16413Q5A
fabbricante
Texas Instruments
Allelco Modello di prodotti
32D-CSD16413Q5A
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 25V 24A/100A 8VSON
Descrizione dettagliata
Pacchetto
8-PowerTDFN
Scheda dati
CSD16413Q5A.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 51660

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Specifiche

Specifiche tecnologiche CSD16413Q5A
Specifiche tecniche Texas Instruments - CSD16413Q5A, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Texas Instruments - CSD16413Q5A

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Texas Instruments  
Vgs (th) (max) a Id 1.9V @ 250µA  
Vgs (Max) +16V, -12V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore 8-VSONP (5x6)  
Serie NexFET™  
Rds On (max) a Id, Vgs 3.9mOhm @ 24A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 3.1W (Ta)  
Contenitore / involucro 8-PowerTDFN  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1780 pF @ 12.5 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 11.7 nC @ 4.5 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 25 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 24A (Ta), 100A (Tc)  
Numero di prodotto di base CSD16413  

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Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Texas Instruments CSD16413Q5A

Proprietà del prodotto CSD16413Q5A CSD16407Q5 CSD16570Q5BT CSD16556Q5B
Modello di prodotti CSD16413Q5A CSD16407Q5 CSD16570Q5BT CSD16556Q5B
fabbricante Texas Instruments Texas Instruments Texas Instruments Texas Instruments
Vgs (th) (max) a Id 1.9V @ 250µA 1.9V @ 250µA 1.9V @ 250µA 1.7V @ 250µA
Vgs (Max) +16V, -12V +16V, -12V ±20V ±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1780 pF @ 12.5 V 2660 pF @ 12.5 V 14000 pF @ 12 V 6180 pF @ 15 V
Tensione drain-source (Vdss) 25 V 25 V 25 V 25 V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 11.7 nC @ 4.5 V 18 nC @ 4.5 V 250 nC @ 10 V 47 nC @ 4.5 V
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Dissipazione di potenza (max) 3.1W (Ta) 3.1W (Ta) 3.2W (Ta), 195W (Tc) 3.2W (Ta), 191W (Tc)
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Contenitore / involucro 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN
Serie NexFET™ NexFET™ NexFET™ NexFET™
Numero di prodotto di base CSD16413 CSD16407 CSD16570 CSD16556
Caratteristica FET - - - -
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (max) a Id, Vgs 3.9mOhm @ 24A, 10V 2.4mOhm @ 25A, 10V 0.59mOhm @ 50A, 10V 1.07mOhm @ 30A, 10V
Contenitore dispositivo fornitore 8-VSONP (5x6) 8-VSONP (5x6) 8-VSONP (5x6) 8-VSONP (5x6)
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 24A (Ta), 100A (Tc) 31A (Ta), 100A (Tc) 100A (Ta) 100A (Tc)
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount

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Europa Germania 5
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Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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