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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-matriciIRF7331TRPBF
Philips
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

IRF7331TRPBF - Philips

fabbricante Modello di prodotti
IRF7331TRPBF
fabbricante
LUMILEDS
Allelco Modello di prodotti
32D-IRF7331TRPBF
Modello ECAD
Descrizione delle parti
7A, 20V, N CHANNEL, MOSFET
Descrizione dettagliata
Pacchetto
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Scheda dati
IRF7331TRPBF.pdf
In magazzino: 4700

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Specifiche

Specifiche tecnologiche IRF7331TRPBF
Specifiche tecniche Philips - IRF7331TRPBF, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Philips - IRF7331TRPBF

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante LUMILEDS  
Vgs (th) (max) a Id 1.2V @ 250µA  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore 8-SO  
Serie HEXFET®  
Rds On (max) a Id, Vgs 30mOhm @ 7A, 4.5V  
Potenza - Max 2W  
Contenitore / involucro 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Pacchetto Bulk  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1340pF @ 16V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 20nC @ 4.5V  
Caratteristica FET Logic Level Gate  
Tensione drain-source (Vdss) 20V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 7A  
Configurazione 2 N-Channel (Dual)  
Numero di prodotto di base IRF733  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Philips IRF7331TRPBF

Proprietà del prodotto IRF7331TRPBF IRF7331TRPBF-1 IRF7329TR IRF7331PBF
Modello di prodotti IRF7331TRPBF IRF7331TRPBF-1 IRF7329TR IRF7331PBF
fabbricante Philips Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Contenitore dispositivo fornitore 8-SO 8-SOIC 8-SO 8-SO
Serie HEXFET® HEXFET® HEXFET® HEXFET®
Tensione drain-source (Vdss) 20V 20V 12V 20V
Configurazione 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) 2 P-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual)
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 7A 7A (Ta) 9.2A 7A
Numero di prodotto di base IRF733 IRF733 IRF732 IRF733
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore / involucro 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1340pF @ 16V 1340pF @ 16V 3450pF @ 10V 1340pF @ 16V
Caratteristica FET Logic Level Gate - Logic Level Gate Logic Level Gate
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Potenza - Max 2W 2W (Ta) 2W 2W
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 20nC @ 4.5V 20nC @ 4.5V 57nC @ 4.5V 20nC @ 4.5V
Vgs (th) (max) a Id 1.2V @ 250µA 1.2V @ 250µA 900mV @ 250µA 1.2V @ 250µA
Rds On (max) a Id, Vgs 30mOhm @ 7A, 4.5V 30mOhm @ 7A, 4.5V 17mOhm @ 9.2A, 4.5V 30mOhm @ 7A, 4.5V
Pacchetto Bulk Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tube

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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