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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-matriciIRF7331TRPBF-1
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Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.
OPZIONE ESPRIT
Metodo di pagamento

IRF7331TRPBF-1 - Infineon Technologies

fabbricante Modello di prodotti
IRF7331TRPBF-1
fabbricante
Infineon Technologies
Allelco Modello di prodotti
32D-IRF7331TRPBF-1
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET 2N-CH 20V 7A 8-SOIC
Pacchetto
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Scheda dati
IRF7331TRPbF-1.pdf
Stato RoHS
La nostra certificazione
In magazzino: 4760

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Specifiche

Specifiche tecnologiche IRF7331TRPBF-1
Specifiche tecniche Infineon Technologies - IRF7331TRPBF-1, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Infineon Technologies - IRF7331TRPBF-1

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Infineon Technologies  
Vgs (th) (max) a Id 1.2V @ 250µA  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore 8-SOIC  
Serie HEXFET®  
Rds On (max) a Id, Vgs 30mOhm @ 7A, 4.5V  
Potenza - Max 2W (Ta)  
Contenitore / involucro 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1340pF @ 16V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 20nC @ 4.5V  
Caratteristica FET -  
Tensione drain-source (Vdss) 20V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 7A (Ta)  
Configurazione 2 N-Channel (Dual)  
Numero di prodotto di base IRF733  

Classificazioni ambientali e di esportazione

ATTRIBUTO DESCRIZIONE
Stato RoHS
Livello di sensibilità all'umidità (MSL) 1 (Unlimited)
Raggiungere lo stato REACH Unaffected
ECCN EAR99
HTSUS

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Infineon Technologies IRF7331TRPBF-1

Proprietà del prodotto IRF7331TRPBF-1 IRF7331PBF IRF7335D1TR IRF7329TRPBF
Modello di prodotti IRF7331TRPBF-1 IRF7331PBF IRF7335D1TR IRF7329TRPBF
fabbricante Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore 8-SOIC 8-SO 14-SOIC 8-SO
Potenza - Max 2W (Ta) 2W 2W 2W
Tensione drain-source (Vdss) 20V 20V 30V 12V
Rds On (max) a Id, Vgs 30mOhm @ 7A, 4.5V 30mOhm @ 7A, 4.5V 17.5mOhm @ 10A, 4.5V 17mOhm @ 9.2A, 4.5V
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs (th) (max) a Id 1.2V @ 250µA 1.2V @ 250µA 1V @ 250µA 900mV @ 250µA
Numero di prodotto di base IRF733 IRF733 IRF733 IRF732
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 20nC @ 4.5V 20nC @ 4.5V 20nC @ 4.5V 57nC @ 4.5V
Configurazione 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical 2 P-Channel (Dual)
Serie HEXFET® HEXFET® FETKY™ HEXFET®
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1340pF @ 16V 1340pF @ 16V 1500pF @ 15V 3450pF @ 10V
Caratteristica FET - Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 7A (Ta) 7A 10A 9.2A
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

IRF7331TRPBF-1 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica IRF7331TRPBF-1 PDF e la documentazione Infineon Technologies per IRF7331TRPBF-1 - Infineon Technologies.

PCN Obsolescence/ EOL
Mult Devices EOL 08/May/2019.pdf
Schede tecniche
IRF7331TRPbF-1.pdf

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Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
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Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Nota:
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