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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloTT8U1TR
Rohm Semiconductor
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

TT8U1TR - Rohm Semiconductor

fabbricante Modello di prodotti
TT8U1TR
fabbricante
LAPIS Technology
Allelco Modello di prodotti
32D-TT8U1TR
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET P-CH 20V 2.4A 8TSST
Descrizione dettagliata
Pacchetto
8-SMD, Flat Lead
Scheda dati
TT8U1TR.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 120690

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche TT8U1TR
Specifiche tecniche Rohm Semiconductor - TT8U1TR, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Rohm Semiconductor - TT8U1TR

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante LAPIS Technology  
Vgs (th) (max) a Id 1V @ 1mA  
Vgs (Max) ±10V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore 8-TSST  
Serie -  
Rds On (max) a Id, Vgs 105mOhm @ 2.4A, 4.5V  
Dissipazione di potenza (max) 1.25W (Ta)  
Contenitore / involucro 8-SMD, Flat Lead  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 850 pF @ 10 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 6.7 nC @ 4.5 V  
Tipo FET P-Channel  
Caratteristica FET Schottky Diode (Isolated)  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 1.5V, 4.5V  
Tensione drain-source (Vdss) 20 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 2.4A (Ta)  
Numero di prodotto di base TT8U1  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Rohm Semiconductor TT8U1TR

Proprietà del prodotto TT8U1TR TT8U2TR TT8J21/TR TT8J11TCR
Modello di prodotti TT8U1TR TT8U2TR TT8J21/TR TT8J11TCR
fabbricante Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor LAPIS Technology Rohm Semiconductor
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 6.7 nC @ 4.5 V 6.7 nC @ 4.5 V - 22nC @ 4.5V
Rds On (max) a Id, Vgs 105mOhm @ 2.4A, 4.5V 105mOhm @ 2.4A, 4.5V - 43mOhm @ 3.5A, 4.5V
Vgs (Max) ±10V ±10V - -
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 2.4A (Ta) 2.4A (Ta) - 3.5A
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount - Surface Mount
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 850 pF @ 10 V 850 pF @ 10 V - 2600pF @ 6V
Tipo FET P-Channel P-Channel - -
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 1.5V, 4.5V 1.5V, 4.5V - -
Numero di prodotto di base TT8U1 TT8U2 - TT8J11
Caratteristica FET Schottky Diode (Isolated) Schottky Diode (Isolated) - Logic Level Gate, 1.5V Drive
Contenitore dispositivo fornitore 8-TSST 8-TSST - 8-TSST
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) - MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore / involucro 8-SMD, Flat Lead 8-SMD, Flat Lead - 8-SMD, Flat Lead
Dissipazione di potenza (max) 1.25W (Ta) 1.25W (Ta) - -
Vgs (th) (max) a Id 1V @ 1mA 1V @ 1mA - 1V @ 1mA
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) - Tape & Reel (TR)
temperatura di esercizio 150°C (TJ) 150°C (TJ) - 150°C (TJ)
Tensione drain-source (Vdss) 20 V 20 V - 12V
Serie - - - -

TT8U1TR Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica TT8U1TR PDF e la documentazione Rohm Semiconductor per TT8U1TR - Rohm Semiconductor.

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Europa Germania 5
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Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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