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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-matriciTT8J21TR
Rohm Semiconductor
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

TT8J21TR - Rohm Semiconductor

fabbricante Modello di prodotti
TT8J21TR
fabbricante
LAPIS Technology
Allelco Modello di prodotti
32D-TT8J21TR
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET 2P-CH 20V 2.5A TSST8
Descrizione dettagliata
Pacchetto
8-SMD, Flat Lead
Scheda dati
TT8J21TR.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 88660

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Specifiche

Specifiche tecnologiche TT8J21TR
Specifiche tecniche Rohm Semiconductor - TT8J21TR, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Rohm Semiconductor - TT8J21TR

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante LAPIS Technology  
Vgs (th) (max) a Id 1V @ 1mA  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore 8-TSST  
Serie -  
Rds On (max) a Id, Vgs 68mOhm @ 2.5A, 4.5V  
Potenza - Max 650mW  
Contenitore / involucro 8-SMD, Flat Lead  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1270pF @ 10V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 12nC @ 4.5V  
Caratteristica FET Logic Level Gate  
Tensione drain-source (Vdss) 20V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 2.5A  
Configurazione 2 P-Channel (Dual)  
Numero di prodotto di base TT8J21  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Rohm Semiconductor TT8J21TR

Proprietà del prodotto TT8J21TR TT8J11TCR TT8J2TR TT8M3TR
Modello di prodotti TT8J21TR TT8J11TCR TT8J2TR TT8M3TR
fabbricante Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 12nC @ 4.5V 22nC @ 4.5V 4.8nC @ 5V 3.6nC @ 4.5V
Potenza - Max 650mW 650mW 1.25W 1W
Vgs (th) (max) a Id 1V @ 1mA 1V @ 1mA 2.5V @ 1mA 1V @ 1mA
Tensione drain-source (Vdss) 20V 12V 30V 20V
Rds On (max) a Id, Vgs 68mOhm @ 2.5A, 4.5V 43mOhm @ 3.5A, 4.5V 84mOhm @ 2.5A, 10V 72mOhm @ 2.5A, 4.5V
Numero di prodotto di base TT8J21 TT8J11 TT8 TT8M3
temperatura di esercizio 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ)
Contenitore / involucro 8-SMD, Flat Lead 8-SMD, Flat Lead 8-SMD, Flat Lead 8-SMD, Flat Lead
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Configurazione 2 P-Channel (Dual) 2 P-Channel (Dual) 2 P-Channel (Dual) N and P-Channel
Serie - - - -
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1270pF @ 10V 2600pF @ 6V 460pF @ 10V 260pF @ 10V
Contenitore dispositivo fornitore 8-TSST 8-TSST 8-TSST 8-TSST
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Caratteristica FET Logic Level Gate Logic Level Gate, 1.5V Drive Logic Level Gate Logic Level Gate, 1.5V Drive
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 2.5A 3.5A 2.5A 2.5A, 2.4A
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount

TT8J21TR Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica TT8J21TR PDF e la documentazione Rohm Semiconductor per TT8J21TR - Rohm Semiconductor.

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Europa Germania 5
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