Specifiche
Specifiche tecnologiche RZR025P01TL
Specifiche tecniche Rohm Semiconductor - RZR025P01TL, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Rohm Semiconductor - RZR025P01TL
| Proprietà del prodotto |
Valori degli attributi
| |
| fabbricante |
LAPIS Technology |
|
| Vgs (th) (max) a Id |
1V @ 1mA |
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| Vgs (Max) |
±10V |
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| Tecnologia |
MOSFET (Metal Oxide) |
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| Contenitore dispositivo fornitore |
TSMT3 |
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| Serie |
- |
|
| Rds On (max) a Id, Vgs |
61mOhm @ 2.5A, 4.5V |
|
| Dissipazione di potenza (max) |
1W (Ta) |
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| Contenitore / involucro |
SC-96 |
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| Pacchetto |
Tape & Reel (TR) |
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| Proprietà del prodotto |
Valori degli attributi
| |
| temperatura di esercizio |
150°C (TJ) |
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| Tipo montaggio |
Surface Mount |
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| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds |
1350 pF @ 6 V |
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| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs |
13 nC @ 4.5 V |
|
| Tipo FET |
P-Channel |
|
| Caratteristica FET |
- |
|
| Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) |
1.5V, 4.5V |
|
| Tensione drain-source (Vdss) |
12 V |
|
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C |
2.5A (Ta) |
|
| Numero di prodotto di base |
RZR025 |
|
Metodo di spedizione
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| Paesi comuni Riferimento del tempo logistico |
| Regione |
Paese |
Tempo logistico (giorno) |
| America |
stati Uniti |
5 |
| Brasile |
7 |
| Europa |
Germania |
5 |
| Regno Unito |
4 |
| Italia |
5 |
| Oceania |
Australia |
6 |
| Nuova Zelanda |
5 |
| Asia |
India |
4 |
| Giappone |
4 |
| Medio Oriente |
Israele |
6 |
| DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento |
| Accuse di spedizione (kg) |
Riferimento DHL (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg |
USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg |
USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg |
USD$50.00 - USD$100.00 |
- Nota:
- La tabella sopra è solo a riferimento.Potrebbe esserci un po 'di distorsione dei dati per i fattori incontrollabili.
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RZR020P01LAPIS Technology
IPP023N08N5AKSA1Infineon TechnologiesMOSFET N-CH 80V 120A TO220-3
IRF7702TRPBFInfineon TechnologiesMOSFET P-CH 12V 8A 8TSSOP
IRFR214Vishay SiliconixMOSFET N-CH 250V 2.2A DPAK
FDS7760AonsemiMOSFET N-CH 30V 15A 8SOIC