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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloRZR020P01TL
Rohm Semiconductor
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

RZR020P01TL - Rohm Semiconductor

fabbricante Modello di prodotti
RZR020P01TL
fabbricante
LAPIS Technology
Allelco Modello di prodotti
32D-RZR020P01TL
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET P-CH 12V 2A TSMT3
Descrizione dettagliata
Pacchetto
SC-96
Scheda dati
RZR020P01TL.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 150930

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche RZR020P01TL
Specifiche tecniche Rohm Semiconductor - RZR020P01TL, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Rohm Semiconductor - RZR020P01TL

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante LAPIS Technology  
Vgs (th) (max) a Id 1V @ 1mA  
Vgs (Max) ±10V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore TSMT3  
Serie -  
Rds On (max) a Id, Vgs 105mOhm @ 2A, 4.5V  
Dissipazione di potenza (max) 1W (Ta)  
Contenitore / involucro SC-96  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 770 pF @ 6 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 6.5 nC @ 4.5 V  
Tipo FET P-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 1.5V, 4.5V  
Tensione drain-source (Vdss) 12 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 2A (Ta)  
Numero di prodotto di base RZR020  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Rohm Semiconductor RZR020P01TL

Proprietà del prodotto RZR020P01TL IXFK52N60Q2 NTR2101PT1G AON6144
Modello di prodotti RZR020P01TL IXFK52N60Q2 NTR2101PT1G AON6144
fabbricante Rohm Semiconductor IXYS onsemi Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Caratteristica FET - - - -
Contenitore dispositivo fornitore TSMT3 TO-264AA (IXFK) SOT-23-3 (TO-236) 8-DFN (5x6)
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 1.5V, 4.5V 10V 1.8V, 4.5V 4.5V, 10V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore / involucro SC-96 TO-264-3, TO-264AA TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 8-PowerSMD, Flat Leads
Dissipazione di potenza (max) 1W (Ta) 735W (Tc) 960mW (Ta) 78W (Tc)
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
temperatura di esercizio 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo FET P-Channel N-Channel P-Channel N-Channel
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 2A (Ta) 52A (Tc) 3.7A (Ta) 100A (Tc)
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 770 pF @ 6 V 6800 pF @ 25 V 1173 pF @ 4 V 3780 pF @ 20 V
Vgs (th) (max) a Id 1V @ 1mA 4.5V @ 8mA 1V @ 250µA 2.4V @ 250µA
Rds On (max) a Id, Vgs 105mOhm @ 2A, 4.5V 115mOhm @ 500mA, 10V 52mOhm @ 3.5A, 4.5V 2.4mOhm @ 20A, 10V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 6.5 nC @ 4.5 V 198 nC @ 10 V 15 nC @ 4.5 V 70 nC @ 10 V
Serie - HiPerFET™, Q2 Class - -
Vgs (Max) ±10V ±30V ±8V ±20V
Tipo montaggio Surface Mount Through Hole Surface Mount Surface Mount
Tensione drain-source (Vdss) 12 V 600 V 8 V 40 V
Numero di prodotto di base RZR020 IXFK52 NTR2101 AON61

RZR020P01TL Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica RZR020P01TL PDF e la documentazione Rohm Semiconductor per RZR020P01TL - Rohm Semiconductor.

PCN Design/Specifica
TSMT Package Updates 24/Dec/2014.pdf

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