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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloRW1A030APT2CR
Rohm Semiconductor
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

RW1A030APT2CR - Rohm Semiconductor

fabbricante Modello di prodotti
RW1A030APT2CR
fabbricante
LAPIS Technology
Allelco Modello di prodotti
32D-RW1A030APT2CR
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET P-CH 12V 3A 6WEMT
Descrizione dettagliata
Pacchetto
6-SMD, Flat Leads
Scheda dati
RW1A030APT2CR.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 4440

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche RW1A030APT2CR
Specifiche tecniche Rohm Semiconductor - RW1A030APT2CR, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Rohm Semiconductor - RW1A030APT2CR

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante LAPIS Technology  
Vgs (th) (max) a Id 1V @ 1mA  
Vgs (Max) -8V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore 6-WEMT  
Serie -  
Rds On (max) a Id, Vgs 42mOhm @ 3A, 4.5V  
Dissipazione di potenza (max) 700mW (Ta)  
Contenitore / involucro 6-SMD, Flat Leads  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2700 pF @ 6 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 22 nC @ 4.5 V  
Tipo FET P-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 1.5V, 4.5V  
Tensione drain-source (Vdss) 12 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 3A (Ta)  
Numero di prodotto di base RW1A030  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Rohm Semiconductor RW1A030APT2CR

Proprietà del prodotto RW1A030APT2CR RW1A025APT2CR RW1C020UNT2R RW1A020ZPT2R
Modello di prodotti RW1A030APT2CR RW1A025APT2CR RW1C020UNT2R RW1A020ZPT2R
fabbricante Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor
Caratteristica FET - - - -
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Vgs (Max) -8V -8V ±10V ±10V
Numero di prodotto di base RW1A030 RW1A025 RW1C020 RW1A020
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 3A (Ta) 2.5A (Ta) 2A (Ta) 2A (Ta)
Dissipazione di potenza (max) 700mW (Ta) 400mW (Ta) 400mW (Ta) 400mW (Ta)
Vgs (th) (max) a Id 1V @ 1mA 1V @ 1mA 1V @ 1mA 1V @ 1mA
Tensione drain-source (Vdss) 12 V 12 V 20 V 12 V
temperatura di esercizio 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ)
Rds On (max) a Id, Vgs 42mOhm @ 3A, 4.5V 62mOhm @ 2.5A, 4.5V 105mOhm @ 2A, 4.5V 105mOhm @ 2A, 4.5V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Serie - - - -
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 1.5V, 4.5V 1.5V, 4.5V 1.5V, 4.5V 1.5V, 4.5V
Contenitore / involucro 6-SMD, Flat Leads 6-SMD, Flat Leads 6-SMD, Flat Leads 6-SMD, Flat Leads
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2700 pF @ 6 V 2000 pF @ 6 V 180 pF @ 10 V 770 pF @ 6 V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 22 nC @ 4.5 V 16 nC @ 4.5 V 2 nC @ 4.5 V 6.5 nC @ 4.5 V
Contenitore dispositivo fornitore 6-WEMT 6-WEMT 6-WEMT 6-WEMT
Tipo FET P-Channel P-Channel N-Channel P-Channel

RW1A030APT2CR Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica RW1A030APT2CR PDF e la documentazione Rohm Semiconductor per RW1A030APT2CR - Rohm Semiconductor.

PCN Obsolescence/ EOL
Mult Dev EOL 30/Sep/2021.pdf

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