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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloRW1A020ZPT2R
Rohm Semiconductor
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

RW1A020ZPT2R - Rohm Semiconductor

fabbricante Modello di prodotti
RW1A020ZPT2R
fabbricante
LAPIS Technology
Allelco Modello di prodotti
32D-RW1A020ZPT2R
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET P-CH 12V 2A WEMT6
Descrizione dettagliata
Pacchetto
6-SMD, Flat Leads
Scheda dati
RW1A020ZPT2R.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 4320

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche RW1A020ZPT2R
Specifiche tecniche Rohm Semiconductor - RW1A020ZPT2R, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Rohm Semiconductor - RW1A020ZPT2R

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante LAPIS Technology  
Vgs (th) (max) a Id 1V @ 1mA  
Vgs (Max) ±10V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore 6-WEMT  
Serie -  
Rds On (max) a Id, Vgs 105mOhm @ 2A, 4.5V  
Dissipazione di potenza (max) 400mW (Ta)  
Contenitore / involucro 6-SMD, Flat Leads  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 770 pF @ 6 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 6.5 nC @ 4.5 V  
Tipo FET P-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 1.5V, 4.5V  
Tensione drain-source (Vdss) 12 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 2A (Ta)  
Numero di prodotto di base RW1A020  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Rohm Semiconductor RW1A020ZPT2R

Proprietà del prodotto RW1A020ZPT2R RW1C015UNT2R RW1A025APT2CR RW1A013ZPT2R
Modello di prodotti RW1A020ZPT2R RW1C015UNT2R RW1A025APT2CR RW1A013ZPT2R
fabbricante Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor
Dissipazione di potenza (max) 400mW (Ta) 400mW (Ta) 400mW (Ta) 400mW (Ta)
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Tensione drain-source (Vdss) 12 V 20 V 12 V 12 V
Rds On (max) a Id, Vgs 105mOhm @ 2A, 4.5V 180mOhm @ 1.5A, 4.5V 62mOhm @ 2.5A, 4.5V 260mOhm @ 1.3A, 4.5V
Numero di prodotto di base RW1A020 RW1C015 RW1A025 RW1A013
temperatura di esercizio 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ)
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Serie - - - -
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 1.5V, 4.5V 1.5V, 4.5V 1.5V, 4.5V 1.5V, 4.5V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 6.5 nC @ 4.5 V 1.8 nC @ 4.5 V 16 nC @ 4.5 V 2.4 nC @ 4.5 V
Tipo FET P-Channel N-Channel P-Channel P-Channel
Vgs (Max) ±10V ±10V -8V ±10V
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro 6-SMD, Flat Leads 6-SMD, Flat Leads 6-SMD, Flat Leads 6-SMD, Flat Leads
Caratteristica FET - - - -
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 2A (Ta) 1.5A (Ta) 2.5A (Ta) 1.5A (Ta)
Contenitore dispositivo fornitore 6-WEMT 6-WEMT 6-WEMT 6-WEMT
Vgs (th) (max) a Id 1V @ 1mA 1V @ 1mA 1V @ 1mA 1V @ 1mA
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 770 pF @ 6 V 110 pF @ 10 V 2000 pF @ 6 V 290 pF @ 6 V

RW1A020ZPT2R Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica RW1A020ZPT2R PDF e la documentazione Rohm Semiconductor per RW1A020ZPT2R - Rohm Semiconductor.

PCN Obsolescence/ EOL
Mult Dev EOL 30/Sep/2021.pdf

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