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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloRVQ040N05TR
Rohm Semiconductor
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

RVQ040N05TR - Rohm Semiconductor

fabbricante Modello di prodotti
RVQ040N05TR
fabbricante
LAPIS Technology
Allelco Modello di prodotti
32D-RVQ040N05TR
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 45V 4A TSMT6
Descrizione dettagliata
Pacchetto
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Scheda dati
RVQ040N05TR.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 87650

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche RVQ040N05TR
Specifiche tecniche Rohm Semiconductor - RVQ040N05TR, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Rohm Semiconductor - RVQ040N05TR

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante LAPIS Technology  
Vgs (th) (max) a Id 2.5V @ 1mA  
Vgs (Max) 21V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore TSMT6 (SC-95)  
Serie -  
Rds On (max) a Id, Vgs 53mOhm @ 4A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 600mW (Ta)  
Contenitore / involucro SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 530 pF @ 10 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 8.8 nC @ 5 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 45 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 4A (Ta)  
Numero di prodotto di base RVQ040  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Rohm Semiconductor RVQ040N05TR

Proprietà del prodotto RVQ040N05TR FQP6N60C SI4425DDY-T1-GE3 FQA19N20C
Modello di prodotti RVQ040N05TR FQP6N60C SI4425DDY-T1-GE3 FQA19N20C
fabbricante Rohm Semiconductor onsemi Vishay Siliconix onsemi
Tensione drain-source (Vdss) 45 V 600 V 30 V 200 V
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tube Tape & Reel (TR) Tube
Vgs (th) (max) a Id 2.5V @ 1mA 4V @ 250µA 2.5V @ 250µA 4V @ 250µA
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Numero di prodotto di base RVQ040 FQP6 SI4425 FQA1
Contenitore dispositivo fornitore TSMT6 (SC-95) TO-220-3 8-SOIC TO-3P
Vgs (Max) 21V ±30V ±20V ±30V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 530 pF @ 10 V 810 pF @ 25 V 2610 pF @ 15 V 1080 pF @ 25 V
Rds On (max) a Id, Vgs 53mOhm @ 4A, 10V 2Ohm @ 2.75A, 10V 9.8mOhm @ 13A, 10V 170mOhm @ 10.9A, 10V
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 4A (Ta) 5.5A (Tc) 19.7A (Tc) 21.8A (Tc)
Caratteristica FET - - - -
Tipo FET N-Channel N-Channel P-Channel N-Channel
Serie - QFET® TrenchFET® QFET®
Contenitore / involucro SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 TO-220-3 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) TO-3P-3, SC-65-3
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 8.8 nC @ 5 V 20 nC @ 10 V 80 nC @ 10 V 53 nC @ 10 V
temperatura di esercizio 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio Surface Mount Through Hole Surface Mount Through Hole
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 10V 10V 4.5V, 10V 10V
Dissipazione di potenza (max) 600mW (Ta) 125W (Tc) 2.5W (Ta), 5.7W (Tc) 180W (Tc)

RVQ040N05TR Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica RVQ040N05TR PDF e la documentazione Rohm Semiconductor per RVQ040N05TR - Rohm Semiconductor.

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