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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloFDMC6683PZ
onsemi
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

FDMC6683PZ - onsemi

fabbricante Modello di prodotti
FDMC6683PZ
fabbricante
onsemi
Allelco Modello di prodotti
32D-FDMC6683PZ
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET P-CH 20V 40A 8MLP
Descrizione dettagliata
Pacchetto
Scheda dati
FDMC6683PZ.pdf
In magazzino: 5200

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Specifiche

Specifiche tecnologiche FDMC6683PZ
Specifiche tecniche onsemi - FDMC6683PZ, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad onsemi - FDMC6683PZ

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante onsemi  
Vgs (th) (max) a Id 1.5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±12V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore 8-MLP (3.3x3.3)  
Serie PowerTrench®  
Dissipazione di potenza (max) 26W (Tc)  
Pacchetto Bulk  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 7995 pF @ 10 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 74 nC @ 10 V  
Tipo FET P-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V  
Tensione drain-source (Vdss) 20 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 40A (Tc)  
Numero di prodotto di base FDMC66  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di onsemi FDMC6683PZ

Proprietà del prodotto FDMC6683PZ FDMC6683 FDMC6688P FDMC6696P
Modello di prodotti FDMC6683PZ FDMC6683 FDMC6688P FDMC6696P
fabbricante onsemi Fairchild Semiconductor onsemi onsemi
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) -
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V 1.8V, 5V 1.8V, 4.5V -
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 40A (Tc) 12A (Ta), 18A (Tc) 14A (Ta), 56A (Tc) -
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 74 nC @ 10 V 114 nC @ 4.5 V 61 nC @ 4.5 V -
Numero di prodotto di base FDMC66 - FDMC6688 -
Vgs (Max) ±12V ±8V ±8V -
Caratteristica FET - - - -
Vgs (th) (max) a Id 1.5V @ 250µA 1V @ 250µA 1V @ 250µA -
Contenitore dispositivo fornitore 8-MLP (3.3x3.3) 8-MLP (3.3x3.3) 8-PQFN (3.3x3.3), Power33 -
Pacchetto Bulk Bulk Tape & Reel (TR) Bulk
Tensione drain-source (Vdss) 20 V 20 V 20 V -
Serie PowerTrench® PowerTrench® PowerTrench® *
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount -
Tipo FET P-Channel P-Channel P-Channel -
Dissipazione di potenza (max) 26W (Tc) 2.3W (Ta), 41W (Tc) 2.3W (Ta), 30W (Tc) -
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 7995 pF @ 10 V 7835 pF @ 10 V 7435 pF @ 10 V -

FDMC6683PZ Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica FDMC6683PZ PDF e la documentazione onsemi per FDMC6683PZ - onsemi.

Informazioni ambientali
onsemi RoHS.pdf
PCN Obsolescence/ EOL
Mult Devices 28/Feb/2017.pdf
Schede tecniche
FDMC6683PZ.pdf

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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