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Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

RSS090P03FU7TB - Rohm Semiconductor

fabbricante Modello di prodotti
RSS090P03FU7TB
fabbricante
LAPIS Technology
Allelco Modello di prodotti
32D-RSS090P03FU7TB
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET P-CH 30V 9A 8SOP
Descrizione dettagliata
Pacchetto
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Scheda dati
RSS090P03FU7TB.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 3730

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Specifiche

Specifiche tecnologiche RSS090P03FU7TB
Specifiche tecniche Rohm Semiconductor - RSS090P03FU7TB, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Rohm Semiconductor - RSS090P03FU7TB

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante LAPIS Technology  
Vgs (th) (max) a Id 2.5V @ 1mA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore 8-SOP  
Serie -  
Rds On (max) a Id, Vgs 14mOhm @ 9A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 2W (Ta)  
Contenitore / involucro 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 4000 pF @ 10 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 39 nC @ 5 V  
Tipo FET P-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 30 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 9A (Ta)  
Numero di prodotto di base RSS090  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Rohm Semiconductor RSS090P03FU7TB

Proprietà del prodotto RSS090P03FU7TB RSS090N03FU6TB RSS095N05FU6TB RSS090P03TB
Modello di prodotti RSS090P03FU7TB RSS090N03FU6TB RSS095N05FU6TB RSS090P03TB
fabbricante Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 4000 pF @ 10 V 810 pF @ 10 V 1830 pF @ 10 V 4000 pF @ 10 V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore / involucro 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Caratteristica FET - - - -
Numero di prodotto di base RSS090 RSS090 RSS095 RSS090
Contenitore dispositivo fornitore 8-SOP 8-SOP 8-SOP 8-SOP
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 39 nC @ 5 V 15 nC @ 5 V 26.5 nC @ 5 V 39 nC @ 5 V
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 10V 4V, 10V 4V, 10V 4V, 10V
Vgs (th) (max) a Id 2.5V @ 1mA 2.5V @ 1mA - 2.5V @ 1mA
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 9A (Ta) 9A (Ta) 9.5A (Ta) 9A (Ta)
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Dissipazione di potenza (max) 2W (Ta) 2W (Ta) 2W (Ta) 2W (Ta)
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Tipo FET P-Channel N-Channel N-Channel P-Channel
Rds On (max) a Id, Vgs 14mOhm @ 9A, 10V 15mOhm @ 9A, 10V 16mOhm @ 9.5A, 10V 14mOhm @ 9A, 10V
Serie - - - -
Vgs (Max) ±20V ±20V 20V ±20V
temperatura di esercizio 150°C (TJ) 150°C (TJ) - 150°C (TJ)
Tensione drain-source (Vdss) 30 V 30 V 45 V 30 V

RSS090P03FU7TB Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica RSS090P03FU7TB PDF e la documentazione Rohm Semiconductor per RSS090P03FU7TB - Rohm Semiconductor.

PCN Obsolescence/ EOL
Mult Dev EOL 29/Oct/2018.pdf

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2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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