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Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

RSS090N03FU6TB - Rohm Semiconductor

fabbricante Modello di prodotti
RSS090N03FU6TB
fabbricante
LAPIS Technology
Allelco Modello di prodotti
32D-RSS090N03FU6TB
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 30V 9A 8SOP
Descrizione dettagliata
Pacchetto
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Scheda dati
RSS090N03.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 5380

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Specifiche

Specifiche tecnologiche RSS090N03FU6TB
Specifiche tecniche Rohm Semiconductor - RSS090N03FU6TB, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Rohm Semiconductor - RSS090N03FU6TB

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante LAPIS Technology  
Vgs (th) (max) a Id 2.5V @ 1mA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore 8-SOP  
Serie -  
Rds On (max) a Id, Vgs 15mOhm @ 9A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 2W (Ta)  
Contenitore / involucro 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 810 pF @ 10 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 15 nC @ 5 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 30 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 9A (Ta)  
Numero di prodotto di base RSS090  

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Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Rohm Semiconductor RSS090N03FU6TB

Proprietà del prodotto RSS090N03FU6TB RSS075P03TB RSS090P03FU6TB RSS090P03TB
Modello di prodotti RSS090N03FU6TB RSS075P03TB RSS090P03FU6TB RSS090P03TB
fabbricante Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor
Contenitore / involucro 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Contenitore dispositivo fornitore 8-SOP 8-SOP 8-SOP 8-SOP
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 810 pF @ 10 V 2900 pF @ 10 V 4000 pF @ 10 V 4000 pF @ 10 V
Tensione drain-source (Vdss) 30 V 30 V 30 V 30 V
Caratteristica FET - - - -
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 9A (Ta) 7.5A (Ta) 9A (Ta) 9A (Ta)
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 15 nC @ 5 V 30 nC @ 5 V 39 nC @ 5 V 39 nC @ 5 V
temperatura di esercizio 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Dissipazione di potenza (max) 2W (Ta) 2W (Ta) 2W (Ta) 2W (Ta)
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Serie - - - -
Rds On (max) a Id, Vgs 15mOhm @ 9A, 10V 21mOhm @ 7.5A, 10V 14mOhm @ 9A, 10V 14mOhm @ 9A, 10V
Tipo FET N-Channel P-Channel P-Channel P-Channel
Vgs (th) (max) a Id 2.5V @ 1mA 2.5V @ 1mA 2.5V @ 1mA 2.5V @ 1mA
Numero di prodotto di base RSS090 RSS075 RSS090 RSS090
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 10V 4V, 10V 4V, 10V 4V, 10V

RSS090N03FU6TB Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica RSS090N03FU6TB PDF e la documentazione Rohm Semiconductor per RSS090N03FU6TB - Rohm Semiconductor.

PCN Obsolescence/ EOL
Mult Dev EOL 29/Oct/2018.pdf
Schede tecniche
RSS090N03.pdf

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Europa Germania 5
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Asia India 4
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2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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