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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloRSF014N03TL
Rohm Semiconductor
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

RSF014N03TL - Rohm Semiconductor

fabbricante Modello di prodotti
RSF014N03TL
fabbricante
LAPIS Technology
Allelco Modello di prodotti
32D-RSF014N03TL
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 30V 1.4A TUMT3
Descrizione dettagliata
Pacchetto
3-SMD, Flat Leads
Scheda dati
RSF014N03TL.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 118300

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche RSF014N03TL
Specifiche tecniche Rohm Semiconductor - RSF014N03TL, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Rohm Semiconductor - RSF014N03TL

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante LAPIS Technology  
Vgs (th) (max) a Id 2.5V @ 1mA  
Vgs (Max) 20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore TUMT3  
Serie -  
Rds On (max) a Id, Vgs 240mOhm @ 1.4A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 800mW (Ta)  
Contenitore / involucro 3-SMD, Flat Leads  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 70 pF @ 10 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 2 nC @ 5 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 30 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 1.4A (Ta)  
Numero di prodotto di base RSF014  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Rohm Semiconductor RSF014N03TL

Proprietà del prodotto RSF014N03TL FQP9N50C IRFI4410ZPBF RSF015N06TL
Modello di prodotti RSF014N03TL FQP9N50C IRFI4410ZPBF RSF015N06TL
fabbricante Rohm Semiconductor onsemi Infineon Technologies Rohm Semiconductor
Vgs (Max) 20V ±30V ±30V ±20V
Tipo montaggio Surface Mount Through Hole Through Hole Surface Mount
Caratteristica FET - - - -
Rds On (max) a Id, Vgs 240mOhm @ 1.4A, 10V 800mOhm @ 4.5A, 10V 9.3mOhm @ 26A, 10V 290mOhm @ 1.5A, 10V
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 10V 10V 10V 4V, 10V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Tensione drain-source (Vdss) 30 V 500 V 100 V 60 V
temperatura di esercizio 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) 150°C (TJ)
Serie - QFET® HEXFET® -
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 1.4A (Ta) 9A (Tc) 43A (Tc) 1.5A (Ta)
Dissipazione di potenza (max) 800mW (Ta) 135W (Tc) 47W (Tc) 800mW (Ta)
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tube Tube Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro 3-SMD, Flat Leads TO-220-3 TO-220-3 Full Pack 3-SMD, Flat Leads
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 70 pF @ 10 V 1030 pF @ 25 V 4910 pF @ 50 V 110 pF @ 10 V
Contenitore dispositivo fornitore TUMT3 TO-220-3 TO-220AB Full-Pak TUMT3
Numero di prodotto di base RSF014 FQP9 IRFI4410 RSF015
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 2 nC @ 5 V 35 nC @ 10 V 110 nC @ 10 V 2 nC @ 5 V
Vgs (th) (max) a Id 2.5V @ 1mA 4V @ 250µA 4V @ 150µA 2.5V @ 1mA

RSF014N03TL Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica RSF014N03TL PDF e la documentazione Rohm Semiconductor per RSF014N03TL - Rohm Semiconductor.

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