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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloRSF010P03TL
Rohm Semiconductor
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

RSF010P03TL - Rohm Semiconductor

fabbricante Modello di prodotti
RSF010P03TL
fabbricante
LAPIS Technology
Allelco Modello di prodotti
32D-RSF010P03TL
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET P-CH 30V 1A TUMT3
Descrizione dettagliata
Pacchetto
3-SMD, Flat Leads
Scheda dati
RSF010P03 Datasheet.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 65070

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche RSF010P03TL
Specifiche tecniche Rohm Semiconductor - RSF010P03TL, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Rohm Semiconductor - RSF010P03TL

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante LAPIS Technology  
Vgs (th) (max) a Id -  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore TUMT3  
Serie -  
Rds On (max) a Id, Vgs 350mOhm @ 1A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 800mW (Ta)  
Contenitore / involucro 3-SMD, Flat Leads  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 120 pF @ 10 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 1.9 nC @ 5 V  
Tipo FET P-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 30 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 1A (Ta)  
Numero di prodotto di base RSF010  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Rohm Semiconductor RSF010P03TL

Proprietà del prodotto RSF010P03TL IXUN280N10 RSF015N06TL STW26NM60
Modello di prodotti RSF010P03TL IXUN280N10 RSF015N06TL STW26NM60
fabbricante Rohm Semiconductor IXYS Rohm Semiconductor STMicroelectronics
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 1.9 nC @ 5 V 440 nC @ 10 V 2 nC @ 5 V 102 nC @ 10 V
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 1A (Ta) 280A (Tc) 1.5A (Ta) 30A (Tc)
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tube Tape & Reel (TR) Tube
Serie - - - MDmesh™
Numero di prodotto di base RSF010 IXUN280 RSF015 STW26N
Tensione drain-source (Vdss) 30 V 100 V 60 V 600 V
Contenitore dispositivo fornitore TUMT3 SOT-227B TUMT3 TO-247-3
Dissipazione di potenza (max) 800mW (Ta) 770W (Tc) 800mW (Ta) 313W (Tc)
Contenitore / involucro 3-SMD, Flat Leads SOT-227-4, miniBLOC 3-SMD, Flat Leads TO-247-3
Tipo FET P-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Rds On (max) a Id, Vgs 350mOhm @ 1A, 10V 5mOhm @ 140A, 10V 290mOhm @ 1.5A, 10V 135mOhm @ 13A, 10V
temperatura di esercizio 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 120 pF @ 10 V 18000 pF @ 25 V 110 pF @ 10 V 2900 pF @ 25 V
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±30V
Caratteristica FET - - - -
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 10V 10V 4V, 10V 10V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Tipo montaggio Surface Mount Chassis Mount Surface Mount Through Hole
Vgs (th) (max) a Id - 4V @ 4mA 2.5V @ 1mA 5V @ 250µA

RSF010P03TL Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica RSF010P03TL PDF e la documentazione Rohm Semiconductor per RSF010P03TL - Rohm Semiconductor.

Schede tecniche
RSF010P03 Datasheet.pdf

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Europa Germania 5
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Italia 5
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Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
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