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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloRSD201N10TL
RSD201N10TL Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

RSD201N10TL - Rohm Semiconductor

fabbricante Modello di prodotti
RSD201N10TL
fabbricante
LAPIS Technology
Allelco Modello di prodotti
32D-RSD201N10TL
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 100V 20A CPT3
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Scheda dati
RSD201N10TL.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 5330

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche RSD201N10TL
Specifiche tecniche Rohm Semiconductor - RSD201N10TL, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Rohm Semiconductor - RSD201N10TL

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante LAPIS Technology  
Vgs (th) (max) a Id 2.5V @ 1mA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore CPT3  
Serie -  
Rds On (max) a Id, Vgs 46mOhm @ 20A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 850mW (Ta), 20W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2100 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 55 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 100 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 20A (Tc)  
Numero di prodotto di base RSD201  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Rohm Semiconductor RSD201N10TL

Proprietà del prodotto RSD201N10TL RSD200N05TL RSD150N06TL RSD221N06TL
Modello di prodotti RSD201N10TL RSD200N05TL RSD150N06TL RSD221N06TL
fabbricante Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor
Tensione drain-source (Vdss) 100 V 45 V 60 V 60 V
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 20A (Tc) 20A (Ta) 15A (Ta) 22A (Tc)
Contenitore / involucro TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Dissipazione di potenza (max) 850mW (Ta), 20W (Tc) 20W (Tc) 20W (Tc) 850mW (Ta), 20W (Tc)
Vgs (th) (max) a Id 2.5V @ 1mA 2.5V @ 1mA 3V @ 1mA 3V @ 1mA
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 10V 4V, 10V 4V, 10V 4V, 10V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Caratteristica FET - - - -
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2100 pF @ 25 V 950 pF @ 10 V 930 pF @ 10 V 1500 pF @ 10 V
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Contenitore dispositivo fornitore CPT3 CPT3 CPT3 CPT3
Rds On (max) a Id, Vgs 46mOhm @ 20A, 10V 28mOhm @ 20A, 10V 40mOhm @ 15A, 10V 26mOhm @ 22A, 10V
Numero di prodotto di base RSD201 RSD200 RSD150 RSD221
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Serie - - - -
temperatura di esercizio 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ)
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 55 nC @ 10 V 12 nC @ 5 V 18 nC @ 10 V 30 nC @ 10 V

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Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
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Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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