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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloRSD150N06TL
RSD150N06TL Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

RSD150N06TL - Rohm Semiconductor

fabbricante Modello di prodotti
RSD150N06TL
fabbricante
LAPIS Technology
Allelco Modello di prodotti
32D-RSD150N06TL
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 60V 15A CPT3
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Scheda dati
RSD150N06TL.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 52810

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche RSD150N06TL
Specifiche tecniche Rohm Semiconductor - RSD150N06TL, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Rohm Semiconductor - RSD150N06TL

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante LAPIS Technology  
Vgs (th) (max) a Id 3V @ 1mA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore CPT3  
Serie -  
Rds On (max) a Id, Vgs 40mOhm @ 15A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 20W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 930 pF @ 10 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 18 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 60 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 15A (Ta)  
Numero di prodotto di base RSD150  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Rohm Semiconductor RSD150N06TL

Proprietà del prodotto RSD150N06TL RSD175N10TL RSD200N05TL RSD131P10TL
Modello di prodotti RSD150N06TL RSD175N10TL RSD200N05TL RSD131P10TL
fabbricante Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel P-Channel
Serie - - - -
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 10V 4V, 10V 4V, 10V 4V, 10V
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
temperatura di esercizio 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Numero di prodotto di base RSD150 RSD175 RSD200 RSD131
Rds On (max) a Id, Vgs 40mOhm @ 15A, 10V 105mOhm @ 8.8A, 10V 28mOhm @ 20A, 10V 200mOhm @ 6.5A, 10V
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Caratteristica FET - - - -
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 930 pF @ 10 V 950 pF @ 25 V 950 pF @ 10 V 2400 pF @ 25 V
Dissipazione di potenza (max) 20W (Tc) 20W (Tc) 20W (Tc) 850mW (Ta), 20W (Tc)
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Contenitore / involucro TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Tensione drain-source (Vdss) 60 V 100 V 45 V 100 V
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 15A (Ta) 17.5A (Ta) 20A (Ta) 13A (Tc)
Contenitore dispositivo fornitore CPT3 CPT3 CPT3 CPT3
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 18 nC @ 10 V 24 nC @ 10 V 12 nC @ 5 V 40 nC @ 10 V
Vgs (th) (max) a Id 3V @ 1mA 2.5V @ 1mA 2.5V @ 1mA 2.5V @ 1mA

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
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Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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