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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloRRF015P03TL
Rohm Semiconductor
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

RRF015P03TL - Rohm Semiconductor

fabbricante Modello di prodotti
RRF015P03TL
fabbricante
LAPIS Technology
Allelco Modello di prodotti
32D-RRF015P03TL
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET P-CH 30V 1.5A TUMT3
Descrizione dettagliata
Pacchetto
3-SMD, Flat Leads
Scheda dati
RRF015P03TL.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 200730

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche RRF015P03TL
Specifiche tecniche Rohm Semiconductor - RRF015P03TL, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Rohm Semiconductor - RRF015P03TL

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante LAPIS Technology  
Vgs (th) (max) a Id 2.5V @ 1mA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore TUMT3  
Serie -  
Rds On (max) a Id, Vgs 160mOhm @ 1.5A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 320mW (Ta)  
Contenitore / involucro 3-SMD, Flat Leads  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 230 pF @ 10 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 6.4 nC @ 10 V  
Tipo FET P-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 30 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 1.5A (Ta)  
Numero di prodotto di base RRF015  

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Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Rohm Semiconductor RRF015P03TL

Proprietà del prodotto RRF015P03TL PMV33UPE,215 STS12NH3LL FDS5170N7
Modello di prodotti RRF015P03TL PMV33UPE,215 STS12NH3LL FDS5170N7
fabbricante Rohm Semiconductor NXP Semiconductors STMicroelectronics onsemi
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 1.5A (Ta) 4.4A (Ta) 12A (Tc) 10.6A (Ta)
Contenitore / involucro 3-SMD, Flat Leads TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
Vgs (Max) ±20V ±8V ±16V ±20V
Serie - - STripFET™ PowerTrench®
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 230 pF @ 10 V 1820 pF @ 10 V 965 pF @ 25 V 2889 pF @ 30 V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 6.4 nC @ 10 V 22.1 nC @ 4.5 V 12 nC @ 4.5 V 71 nC @ 10 V
Caratteristica FET - - - -
Numero di prodotto di base RRF015 - STS12 FDS51
Pacchetto Tape & Reel (TR) Bulk Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Contenitore dispositivo fornitore TUMT3 SOT-23 8-SOIC 8-SO FLMP
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 10V 1.8V, 4.5V 4.5V, 10V 6V, 10V
Tipo FET P-Channel P-Channel N-Channel N-Channel
Vgs (th) (max) a Id 2.5V @ 1mA 950mV @ 250µA 1V @ 250µA 4V @ 250µA
Dissipazione di potenza (max) 320mW (Ta) 490mW (Ta) 2.7W (Tc) 3W (Ta)
Rds On (max) a Id, Vgs 160mOhm @ 1.5A, 10V 36mOhm @ 3A, 4.5V 10.5mOhm @ 6A, 10V 12mOhm @ 10.6A, 10V
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Tensione drain-source (Vdss) 30 V 20 V 30 V 60 V
temperatura di esercizio 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)

RRF015P03TL Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica RRF015P03TL PDF e la documentazione Rohm Semiconductor per RRF015P03TL - Rohm Semiconductor.

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