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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloRQ1C065UNTR
RQ1C065UNTR Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

RQ1C065UNTR - Rohm Semiconductor

fabbricante Modello di prodotti
RQ1C065UNTR
fabbricante
LAPIS Technology
Allelco Modello di prodotti
32D-RQ1C065UNTR
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 20V 6.5A TSMT8
Descrizione dettagliata
Pacchetto
8-SMD, Flat Lead
Scheda dati
RQ1C065UNTR.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 111620

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche RQ1C065UNTR
Specifiche tecniche Rohm Semiconductor - RQ1C065UNTR, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Rohm Semiconductor - RQ1C065UNTR

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante LAPIS Technology  
Vgs (th) (max) a Id 1V @ 1mA  
Vgs (Max) ±10V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore TSMT8  
Serie -  
Rds On (max) a Id, Vgs 22mOhm @ 6.5A, 4.5V  
Dissipazione di potenza (max) 700mW (Ta)  
Contenitore / involucro 8-SMD, Flat Lead  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 870 pF @ 10 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 11 nC @ 4.5 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 1.5V, 4.5V  
Tensione drain-source (Vdss) 20 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 6.5A (Ta)  
Numero di prodotto di base RQ1C065  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Rohm Semiconductor RQ1C065UNTR

Proprietà del prodotto RQ1C065UNTR RQ1A070APTR RQ1E050RPTR RQ1A070ZPTR
Modello di prodotti RQ1C065UNTR RQ1A070APTR RQ1E050RPTR RQ1A070ZPTR
fabbricante Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor
Contenitore / involucro 8-SMD, Flat Lead 8-SMD, Flat Lead 8-SMD, Flat Lead 8-SMD, Flat Lead
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 1.5V, 4.5V 1.5V, 4.5V 4V, 10V 1.5V, 4.5V
Dissipazione di potenza (max) 700mW (Ta) 550mW (Ta) 700mW (Ta) 700mW (Ta)
Tensione drain-source (Vdss) 20 V 12 V 30 V 12 V
Vgs (th) (max) a Id 1V @ 1mA 1V @ 1mA 2.5V @ 1mA 1V @ 1mA
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 11 nC @ 4.5 V 80 nC @ 4.5 V 28 nC @ 10 V 58 nC @ 4.5 V
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Caratteristica FET - - - -
Tipo FET N-Channel P-Channel P-Channel P-Channel
Vgs (Max) ±10V -8V ±20V ±10V
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Contenitore dispositivo fornitore TSMT8 TSMT8 TSMT8 TSMT8
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 870 pF @ 10 V 7800 pF @ 6 V 1300 pF @ 10 V 7400 pF @ 6 V
Rds On (max) a Id, Vgs 22mOhm @ 6.5A, 4.5V 14mOhm @ 7A, 4.5V 31mOhm @ 5A, 10V 12mOhm @ 7A, 4.5V
Numero di prodotto di base RQ1C065 RQ1A070 RQ1E050 RQ1A070
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 6.5A (Ta) 7A (Ta) 5A (Ta) 7A (Ta)
temperatura di esercizio 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ)
Serie - - - -
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)

RQ1C065UNTR Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica RQ1C065UNTR PDF e la documentazione Rohm Semiconductor per RQ1C065UNTR - Rohm Semiconductor.

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