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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloRQ1A060ZPTR
RQ1A060ZPTR Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

RQ1A060ZPTR - Rohm Semiconductor

fabbricante Modello di prodotti
RQ1A060ZPTR
fabbricante
LAPIS Technology
Allelco Modello di prodotti
32D-RQ1A060ZPTR
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET P-CH 12V 6A TSMT8
Descrizione dettagliata
Pacchetto
8-SMD, Flat Lead
Scheda dati
RQ1A060ZPTR.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 72560

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche RQ1A060ZPTR
Specifiche tecniche Rohm Semiconductor - RQ1A060ZPTR, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Rohm Semiconductor - RQ1A060ZPTR

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante LAPIS Technology  
Vgs (th) (max) a Id 1V @ 1mA  
Vgs (Max) ±10V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore TSMT8  
Serie -  
Rds On (max) a Id, Vgs 23mOhm @ 6A, 4.5V  
Dissipazione di potenza (max) 700mW (Ta)  
Contenitore / involucro 8-SMD, Flat Lead  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2800 pF @ 6 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 34 nC @ 4.5 V  
Tipo FET P-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 1.5V, 4.5V  
Tensione drain-source (Vdss) 12 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 6A (Ta)  
Numero di prodotto di base RQ1A060  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Rohm Semiconductor RQ1A060ZPTR

Proprietà del prodotto RQ1A060ZPTR RQ1E050RPTR RQ1A070APTR RQ1E100XNTR
Modello di prodotti RQ1A060ZPTR RQ1E050RPTR RQ1A070APTR RQ1E100XNTR
fabbricante Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Numero di prodotto di base RQ1A060 RQ1E050 RQ1A070 RQ1E100
Serie - - - -
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 1.5V, 4.5V 4V, 10V 1.5V, 4.5V 4V, 10V
Rds On (max) a Id, Vgs 23mOhm @ 6A, 4.5V 31mOhm @ 5A, 10V 14mOhm @ 7A, 4.5V 10.5mOhm @ 10A, 10V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 34 nC @ 4.5 V 28 nC @ 10 V 80 nC @ 4.5 V 12.7 nC @ 5 V
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 6A (Ta) 5A (Ta) 7A (Ta) 10A (Ta)
Dissipazione di potenza (max) 700mW (Ta) 700mW (Ta) 550mW (Ta) 550mW (Ta)
Contenitore / involucro 8-SMD, Flat Lead 8-SMD, Flat Lead 8-SMD, Flat Lead 8-SMD, Flat Lead
Tipo FET P-Channel P-Channel P-Channel N-Channel
Contenitore dispositivo fornitore TSMT8 TSMT8 TSMT8 TSMT8
Tensione drain-source (Vdss) 12 V 30 V 12 V 30 V
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Vgs (Max) ±10V ±20V -8V ±20V
Caratteristica FET - - - -
Vgs (th) (max) a Id 1V @ 1mA 2.5V @ 1mA 1V @ 1mA 2.5V @ 1mA
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2800 pF @ 6 V 1300 pF @ 10 V 7800 pF @ 6 V 1000 pF @ 10 V
temperatura di esercizio 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ)

RQ1A060ZPTR Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica RQ1A060ZPTR PDF e la documentazione Rohm Semiconductor per RQ1A060ZPTR - Rohm Semiconductor.

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