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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloRHK003N06T146
Rohm Semiconductor
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

RHK003N06T146 - Rohm Semiconductor

fabbricante Modello di prodotti
RHK003N06T146
fabbricante
LAPIS Technology
Allelco Modello di prodotti
32D-RHK003N06T146
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 60V 300MA SMT3
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Scheda dati
RHK003N06.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 264870

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Specifiche

Specifiche tecnologiche RHK003N06T146
Specifiche tecniche Rohm Semiconductor - RHK003N06T146, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Rohm Semiconductor - RHK003N06T146

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante LAPIS Technology  
Vgs (th) (max) a Id 2.5V @ 1mA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore SMT3  
Serie -  
Rds On (max) a Id, Vgs 1Ohm @ 300mA, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 200mW (Ta)  
Contenitore / involucro TO-236-3, SC-59, SOT-23-3  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 33 pF @ 10 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 6 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 60 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 300mA (Ta)  
Numero di prodotto di base RHK003  

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Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Rohm Semiconductor RHK003N06T146

Proprietà del prodotto RHK003N06T146 AOT20S60L RHK003N06FRAT146 FCD5N60-F085
Modello di prodotti RHK003N06T146 AOT20S60L RHK003N06FRAT146 FCD5N60-F085
fabbricante Rohm Semiconductor Alpha & Omega Semiconductor Inc. Rohm Semiconductor onsemi
temperatura di esercizio 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Tensione drain-source (Vdss) 60 V 600 V 60 V 600 V
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tube Tape & Reel (TR) Bulk
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 33 pF @ 10 V 1038 pF @ 100 V 33 pF @ 10 V 570 pF @ 25 V
Vgs (Max) ±20V ±30V ±20V ±30V
Dissipazione di potenza (max) 200mW (Ta) 266W (Tc) 200mW (Ta) 54W (Tj)
Numero di prodotto di base RHK003 AOT20 RHK003 -
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 10V 10V 4V, 10V 10V
Contenitore dispositivo fornitore SMT3 TO-220 SMT3 TO-252AA
Contenitore / involucro TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-220-3 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 6 nC @ 10 V 19.8 nC @ 10 V 6 nC @ 10 V 21 nC @ 10 V
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 300mA (Ta) 20A (Tc) 300mA (Ta) 4.6A (Tc)
Tipo montaggio Surface Mount Through Hole Surface Mount Surface Mount
Rds On (max) a Id, Vgs 1Ohm @ 300mA, 10V 199mOhm @ 10A, 10V 1Ohm @ 300mA, 10V 1.1Ohm @ 4.6A, 10V
Caratteristica FET - - - -
Vgs (th) (max) a Id 2.5V @ 1mA 4.1V @ 250µA 2.5V @ 1mA 5V @ 250µA
Serie - aMOS™ - Automotive, AEC-Q101, SuperFET™

RHK003N06T146 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica RHK003N06T146 PDF e la documentazione Rohm Semiconductor per RHK003N06T146 - Rohm Semiconductor.

Schede tecniche
RHK003N06.pdf

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Europa Germania 5
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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