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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloRD3U080CNTL1
RD3U080CNTL1 Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

RD3U080CNTL1 - Rohm Semiconductor

fabbricante Modello di prodotti
RD3U080CNTL1
fabbricante
LAPIS Technology
Allelco Modello di prodotti
32D-RD3U080CNTL1
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 250V 8A TO252
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Scheda dati
RD3U080CNTL1.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 39550

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche RD3U080CNTL1
Specifiche tecniche Rohm Semiconductor - RD3U080CNTL1, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Rohm Semiconductor - RD3U080CNTL1

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante LAPIS Technology  
Vgs (th) (max) a Id 5V @ 1mA  
Vgs (Max) ±30V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore TO-252  
Serie -  
Rds On (max) a Id, Vgs 300mOhm @ 4A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 85W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1440 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 25 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 250 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 8A (Tc)  
Numero di prodotto di base RD3U080  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Rohm Semiconductor RD3U080CNTL1

Proprietà del prodotto RD3U080CNTL1 RD3P200SNTL1 RD3L080SNFRATL RD3G600GNTL
Modello di prodotti RD3U080CNTL1 RD3P200SNTL1 RD3L080SNFRATL RD3G600GNTL
fabbricante Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 25 nC @ 10 V 55 nC @ 10 V 9.4 nC @ 10 V 46.5 nC @ 10 V
Dissipazione di potenza (max) 85W (Tc) 20W (Tc) 15W (Tc) 40W (Ta)
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V 4V, 10V 4V, 10V 4.5V, 10V
Numero di prodotto di base RD3U080 RD3P200 RD3L080 RD3G600
Serie - - Automotive, AEC-Q101 -
Caratteristica FET - - - -
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 8A (Tc) 20A (Ta) 8A (Ta) 60A (Ta)
Rds On (max) a Id, Vgs 300mOhm @ 4A, 10V 46mOhm @ 20A, 10V 80mOhm @ 8A, 10V 3.6mOhm @ 60A, 10V
Contenitore dispositivo fornitore TO-252 TO-252 TO-252 TO-252
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Vgs (Max) ±30V ±20V ±20V ±20V
Vgs (th) (max) a Id 5V @ 1mA 2.5V @ 1mA 2.5V @ 1mA 2.5V @ 1mA
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1440 pF @ 25 V 2100 pF @ 25 V 380 pF @ 10 V 3400 pF @ 20 V
Tensione drain-source (Vdss) 250 V 100 V 60 V 40 V
Contenitore / involucro TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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Europa Germania 5
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Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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