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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloRD3L140SPTL1
RD3L140SPTL1 Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

RD3L140SPTL1 - Rohm Semiconductor

fabbricante Modello di prodotti
RD3L140SPTL1
fabbricante
LAPIS Technology
Allelco Modello di prodotti
32D-RD3L140SPTL1
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET P-CH 60V 14A TO252
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Scheda dati
RD3L140SPTL1.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 39830

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche RD3L140SPTL1
Specifiche tecniche Rohm Semiconductor - RD3L140SPTL1, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Rohm Semiconductor - RD3L140SPTL1

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante LAPIS Technology  
Vgs (th) (max) a Id 3V @ 1mA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore TO-252  
Serie -  
Rds On (max) a Id, Vgs 84mOhm @ 14A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 20W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1900 pF @ 10 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 27 nC @ 10 V  
Tipo FET P-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 60 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 14A (Ta)  
Numero di prodotto di base RD3L140  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Rohm Semiconductor RD3L140SPTL1

Proprietà del prodotto RD3L140SPTL1 RD3U080CNTL1 RD3G500GNTL RD3P200SNTL1
Modello di prodotti RD3L140SPTL1 RD3U080CNTL1 RD3G500GNTL RD3P200SNTL1
fabbricante Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 10V 10V 4.5V, 10V 4V, 10V
Vgs (Max) ±20V ±30V ±20V ±20V
Contenitore dispositivo fornitore TO-252 TO-252 TO-252 TO-252
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Numero di prodotto di base RD3L140 RD3U080 RD3G500 RD3P200
Caratteristica FET - - - -
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 14A (Ta) 8A (Tc) 50A (Tc) 20A (Ta)
Rds On (max) a Id, Vgs 84mOhm @ 14A, 10V 300mOhm @ 4A, 10V 4.9mOhm @ 50A, 10V 46mOhm @ 20A, 10V
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Tensione drain-source (Vdss) 60 V 250 V 40 V 100 V
Dissipazione di potenza (max) 20W (Tc) 85W (Tc) 35W (Tc) 20W (Tc)
Serie - - - -
Contenitore / involucro TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
temperatura di esercizio 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ)
Vgs (th) (max) a Id 3V @ 1mA 5V @ 1mA 2.5V @ 1mA 2.5V @ 1mA
Tipo FET P-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 27 nC @ 10 V 25 nC @ 10 V 31 nC @ 10 V 55 nC @ 10 V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1900 pF @ 10 V 1440 pF @ 25 V 22800 pF @ 20 V 2100 pF @ 25 V

RD3L140SPTL1 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica RD3L140SPTL1 PDF e la documentazione Rohm Semiconductor per RD3L140SPTL1 - Rohm Semiconductor.

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