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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor - Bipolare (BJT) - Array, pre -polarizzatoEMD2FHAT2R
EMD2FHAT2R Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

EMD2FHAT2R - Rohm Semiconductor

fabbricante Modello di prodotti
EMD2FHAT2R
fabbricante
LAPIS Technology
Allelco Modello di prodotti
32D-EMD2FHAT2R
Modello ECAD
Descrizione delle parti
PNP+NPN DIGITAL TRANSISTOR (CORR
Descrizione dettagliata
Pacchetto
SOT-563, SOT-666
Scheda dati
EMD2FHAT2R.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 313390

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche EMD2FHAT2R
Specifiche tecniche Rohm Semiconductor - EMD2FHAT2R, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Rohm Semiconductor - EMD2FHAT2R

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante LAPIS Technology  
Tensione - rottura collettore-emettitore (max) -  
Vce saturazione (max) a Ib, Ic 300mV @ 500µA, 10mA  
Tipo transistor 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)  
Contenitore dispositivo fornitore EMT6  
Serie Automotive, AEC-Q101  
Resistor - Emitter Base (R2) 22kOhms  
Resistor - Base (R1) 22kOhms  
Potenza - Max 150mW  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
Contenitore / involucro SOT-563, SOT-666  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Frequenza - transizione 250MHz  
Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce 56 @ 5mA, 5V  
Corrente - Cutoff collettore (max) -  
Corrente - collettore (Ic) (max) 100mA  
Numero di prodotto di base EMD2FHAT2  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Rohm Semiconductor EMD2FHAT2R

Proprietà del prodotto EMD2FHAT2R EMD2T2R EMD29T2R EMD30T2R
Modello di prodotti EMD2FHAT2R EMD2T2R EMD29T2R EMD30T2R
fabbricante Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Tensione - rottura collettore-emettitore (max) - 50V 50V, 12V 50V, 30V
Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce 56 @ 5mA, 5V 56 @ 5mA, 5V 30 @ 5mA, 5V / 140 @ 100mA, 2V 30 @ 5mA, 5V / 140 @ 100mA, 2V
Resistor - Emitter Base (R2) 22kOhms 22kOhms 10kOhms 10kOhms
Numero di prodotto di base EMD2FHAT2 EMD2T2 EMD29 EMD30
Vce saturazione (max) a Ib, Ic 300mV @ 500µA, 10mA 300mV @ 500µA, 10mA 300mV @ 500µA, 10mA / 300mV @ 5mA, 100mA 300mV @ 500µA, 10mA
Tipo transistor 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 1 PNP Pre-Biased, 1 NPN
Resistor - Base (R1) 22kOhms 22kOhms 1kOhms, 10kOhms 10kOhms, 1kOhms
Corrente - Cutoff collettore (max) - 500nA 500nA 500nA
Frequenza - transizione 250MHz 250MHz 250MHz, 260MHz 260MHz
Corrente - collettore (Ic) (max) 100mA 100mA 100mA, 500mA 200mA
Potenza - Max 150mW 150mW 120mW 150mW
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Serie Automotive, AEC-Q101 - - -
Contenitore dispositivo fornitore EMT6 EMT6 EMT6 EMT6
Contenitore / involucro SOT-563, SOT-666 SOT-563, SOT-666 SOT-563, SOT-666 SOT-563, SOT-666

EMD2FHAT2R Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica EMD2FHAT2R PDF e la documentazione Rohm Semiconductor per EMD2FHAT2R - Rohm Semiconductor.

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Europa Germania 5
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Nuova Zelanda 5
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