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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor - Bipolare (BJT) - Array, pre -polarizzatoEMD29T2R
EMD29T2R Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

EMD29T2R - Rohm Semiconductor

fabbricante Modello di prodotti
EMD29T2R
fabbricante
LAPIS Technology
Allelco Modello di prodotti
32D-EMD29T2R
Modello ECAD
Descrizione delle parti
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.12W EMT6
Descrizione dettagliata
Pacchetto
SOT-563, SOT-666
Scheda dati
EMD29T2R.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 374860

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche EMD29T2R
Specifiche tecniche Rohm Semiconductor - EMD29T2R, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Rohm Semiconductor - EMD29T2R

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante LAPIS Technology  
Tensione - rottura collettore-emettitore (max) 50V, 12V  
Vce saturazione (max) a Ib, Ic 300mV @ 500µA, 10mA / 300mV @ 5mA, 100mA  
Tipo transistor 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)  
Contenitore dispositivo fornitore EMT6  
Serie -  
Resistor - Emitter Base (R2) 10kOhms  
Resistor - Base (R1) 1kOhms, 10kOhms  
Potenza - Max 120mW  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
Contenitore / involucro SOT-563, SOT-666  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Frequenza - transizione 250MHz, 260MHz  
Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce 30 @ 5mA, 5V / 140 @ 100mA, 2V  
Corrente - Cutoff collettore (max) 500nA  
Corrente - collettore (Ic) (max) 100mA, 500mA  
Numero di prodotto di base EMD29  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Rohm Semiconductor EMD29T2R

Proprietà del prodotto EMD29T2R EMD2FHAT2R EMD22T2R EMD30T2R
Modello di prodotti EMD29T2R EMD2FHAT2R EMD22T2R EMD30T2R
fabbricante Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor
Contenitore / involucro SOT-563, SOT-666 SOT-563, SOT-666 SOT-563, SOT-666 SOT-563, SOT-666
Resistor - Emitter Base (R2) 10kOhms 22kOhms 47kOhms 10kOhms
Resistor - Base (R1) 1kOhms, 10kOhms 22kOhms 4.7kOhms 10kOhms, 1kOhms
Contenitore dispositivo fornitore EMT6 EMT6 EMT6 EMT6
Corrente - Cutoff collettore (max) 500nA - 500nA 500nA
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Vce saturazione (max) a Ib, Ic 300mV @ 500µA, 10mA / 300mV @ 5mA, 100mA 300mV @ 500µA, 10mA 300mV @ 250µA, 2.5mA 300mV @ 500µA, 10mA
Frequenza - transizione 250MHz, 260MHz 250MHz 250MHz 260MHz
Serie - Automotive, AEC-Q101 - -
Corrente - collettore (Ic) (max) 100mA, 500mA 100mA 100mA 200mA
Tipo transistor 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 1 PNP Pre-Biased, 1 NPN
Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce 30 @ 5mA, 5V / 140 @ 100mA, 2V 56 @ 5mA, 5V 80 @ 10mA, 5V 30 @ 5mA, 5V / 140 @ 100mA, 2V
Numero di prodotto di base EMD29 EMD2FHAT2 EMD22 EMD30
Tensione - rottura collettore-emettitore (max) 50V, 12V - 50V 50V, 30V
Potenza - Max 120mW 150mW 150mW 150mW
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

EMD29T2R Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica EMD29T2R PDF e la documentazione Rohm Semiconductor per EMD29T2R - Rohm Semiconductor.

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Europa Germania 5
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Asia India 4
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