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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-matriciEM6K31GT2R
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Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

EM6K31GT2R - Rohm Semiconductor

fabbricante Modello di prodotti
EM6K31GT2R
fabbricante
LAPIS Technology
Allelco Modello di prodotti
32D-EM6K31GT2R
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET 2N-CH 60V 0.25A EMT6
Descrizione dettagliata
Pacchetto
SOT-563, SOT-666
Scheda dati
EM6K31GT2R.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 298120

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche EM6K31GT2R
Specifiche tecniche Rohm Semiconductor - EM6K31GT2R, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Rohm Semiconductor - EM6K31GT2R

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante LAPIS Technology  
Vgs (th) (max) a Id 2.3V @ 1mA  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore EMT6  
Serie -  
Rds On (max) a Id, Vgs 2.4Ohm @ 250mA, 10V  
Potenza - Max 120mW  
Contenitore / involucro SOT-563, SOT-666  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 15pF @ 25V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs -  
Caratteristica FET Logic Level Gate, 2.5V Drive  
Tensione drain-source (Vdss) 60V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 250mA  
Configurazione 2 N-Channel (Dual)  
Numero di prodotto di base EM6K31  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Rohm Semiconductor EM6K31GT2R

Proprietà del prodotto EM6K31GT2R EM6K33T2R EM6K34T2CR EM6J1T2R
Modello di prodotti EM6K31GT2R EM6K33T2R EM6K34T2CR EM6J1T2R
fabbricante Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor
Potenza - Max 120mW 150mW 120mW 150mW
temperatura di esercizio 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ)
Configurazione 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) 2 P-Channel (Dual)
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 15pF @ 25V 25pF @ 10V 26pF @ 10V 115pF @ 10V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs - - - 1.4nC @ 4.5V
Contenitore / involucro SOT-563, SOT-666 SOT-563, SOT-666 SOT-563, SOT-666 SOT-563, SOT-666
Caratteristica FET Logic Level Gate, 2.5V Drive Logic Level Gate, 1.2V Drive Logic Level Gate, 0.9V Drive Logic Level Gate
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Contenitore dispositivo fornitore EMT6 EMT6 EMT6 EMT6
Numero di prodotto di base EM6K31 EM6K33 EM6K34 EM6J1
Rds On (max) a Id, Vgs 2.4Ohm @ 250mA, 10V 2.2Ohm @ 200mA, 4.5V 2.2Ohm @ 200mA, 4.5V 1.2Ohm @ 200mA, 4.5V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Tensione drain-source (Vdss) 60V 50V 50V 20V
Vgs (th) (max) a Id 2.3V @ 1mA 1V @ 1mA 800mV @ 1mA 1V @ 100µA
Serie - - - -
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 250mA 200mA 200mA 200mA

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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EM6K31GT2R

Rohm Semiconductor
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