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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-matriciVMM650-01F
IXYS
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

VMM650-01F - IXYS

fabbricante Modello di prodotti
VMM650-01F
fabbricante
IXYS Corporation
Allelco Modello di prodotti
32D-VMM650-01F
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET 2N-CH 100V 680A Y3-LI
Descrizione dettagliata
Pacchetto
Y3-Li
Scheda dati
VMM650-01F.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 4930

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche VMM650-01F
Specifiche tecniche IXYS - VMM650-01F, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad IXYS - VMM650-01F

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante IXYS Corporation  
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 30mA  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore Y3-Li  
Serie HiPerFET™  
Rds On (max) a Id, Vgs 2.2mOhm @ 500A, 10V  
Potenza - Max -  
Contenitore / involucro Y3-Li  
Pacchetto Box  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -40°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Chassis Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds -  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 1440nC @ 10V  
Caratteristica FET -  
Tensione drain-source (Vdss) 100V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 680A  
Configurazione 2 N-Channel (Dual)  
Numero di prodotto di base VMM650  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di IXYS VMM650-01F

Proprietà del prodotto VMM650-01F VMM300-03F VMM85-02F VMM90-09F
Modello di prodotti VMM650-01F VMM300-03F VMM85-02F VMM90-09F
fabbricante IXYS IXYS IXYS IXYS
Tensione drain-source (Vdss) 100V 300V 200V 900V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Numero di prodotto di base VMM650 VMM300 VMM85 VMM90
Rds On (max) a Id, Vgs 2.2mOhm @ 500A, 10V 8.6mOhm @ 145A, 10V 25mOhm @ 500mA, 10V 76mOhm @ 65A, 10V
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 680A 290A 84A 85A
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 1440nC @ 10V 1440nC @ 10V 450nC @ 10V 960nC @ 10V
Contenitore / involucro Y3-Li Y3-DCB Y4-M6 Y3-Li
Serie HiPerFET™ HiPerFET™ HiPerFET™ HiPerFET™
Configurazione 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual)
Potenza - Max - 1500W 370W -
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 30mA 4V @ 30mA 4V @ 8mA 5V @ 30mA
Tipo montaggio Chassis Mount Chassis Mount Chassis Mount Chassis Mount
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds - 40000pF @ 25V 15000pF @ 25V -
Pacchetto Box Box Box Box
Caratteristica FET - - - -
Contenitore dispositivo fornitore Y3-Li Y3-DCB Y4-M6 Y3-Li
temperatura di esercizio -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ)

VMM650-01F Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica VMM650-01F PDF e la documentazione IXYS per VMM650-01F - IXYS.

PCN Obsolescence/ EOL
OBS NOTICE 27/Mar/2023.pdf
Schede tecniche
VMM650-01F.pdf

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
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Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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